因为三星颗粒的各种读写优势，鉴于个人偏好于三星颗粒的DIY。但是论坛关于三星颗粒的开卡经验贴非常少。于是就再发一贴以充实三星颗粒阵容。这是前天一个客户来店里换下来的三星256G坏固态盘，故障显示上机不认盘，拆开后主控发烫。盘是报废了。鉴于以下内容较多，这里就不发原盘图片了。拆出来发现颗粒是K9HHGY8S5A-CCKO的型号，居然是MLC颗粒。
K9:NAND
H:MLC QDP
HG:512Gb(64GB)
8:X8
S:3.3V(3V-3.6V/VccQ 1.8V)
5:Quad nCE & Quad R/nB
A:2nd Generation
C:BGA316
按照型号分析，这个颗粒应该是4DIE 4CE，单CE16GB的MLC颗粒，理论2246EN和XT都能支持。先上EN吧。
焊接过程略过。。。。
开卡软件检测到是4个CE，但是点AUTO确是空空如也。。。。
看来没有先做做功课啊！去FLASH BD 里面去找找是什么情况。找来找去，型号和ID号都没有找到匹配的。于是只能条件放宽一点找了。
搜K9H找到一个K9HFGY8S5A的固件，但是对照ID，却是差距很大，这个32G的颗粒虽然和这个型号只差一个字，但是里面的晶圆却是相差十万八千里，但还是抱着试试看的心态修改ID试着开卡，虽然知道失败的可能性是99%。
这个32G的颗粒应该是2D的，我这个应该是3D的。具体没有去查证。按照这个方案也排除XT方案。于是拿出祖传的2258H主控，这是最后的杀手锏了。。。。。。
这下先做功课。。。
输入型号FLASH DB没查到。。。。(慌了)还好ID找到了一个全部匹配的。
就是这个名字叫做K9PKGY8S7A的固件，这可是128GB,8DIE 8CE的颗粒啊，ID一模一样，那里面的晶圆也一样吧。上板子开卡。
点AUTO没找到固件，很多朋友觉得这是58H的BUG，其实冤枉它了，这是固件编写的时候程序员耍的一个小把戏，解决方案是：从ID的第一位起向后数第38位的数字0改成1即可。
Samsung,1Tbit(16KP),K9PKGY8S7A=EC,1A,94,F3,64,C8,2,08,10,0,4000,4094,2,1,0,256,2,16,1536,3,0,8F,27,10,1,8F,59,0,1,2,1,52,51,0,DA,DF,1,0,0,C0,88,88,88,88,12,26,AA,AA,66,66,66,66,0,20,〗,,
Samsung,1Tbit(16KP),K9PKGY8S7A=EC,1A,94,F3,64,C8,2,08,10,0,4000,4094,2,1,0,256,2,16,1536,3,0,8F,27,10,1,8F,59,0,1,2,1,52,51,0,DA,DF,1,1,0,C0,88,88,88,88,12,26,AA,AA,66,66,66,66,0,20,〗,,
下面AUTO就可以找到固件了。继续开卡。
还是失败。按照提示显示，应该固件有参数错误或者容量错误，这时候只是上了一颗颗粒容量是64G的，这固件是128G的，会不会是这方面问题呢。于是继续上了另一颗凑成128G开卡，终于成功了。（SM2246的板子开卡一般不会出现这问题，128G的颗粒用64G或者256G的固件都能开成功，估计这固件并不是为这颗粒设计的，只是凑巧这两型号颗粒晶圆一模一样。适用1+1=2的模式）
这是我4颗粒全部装上后，直接开出了250G的容量。开卡的时候，软件默认了是两颗128G颗粒。
测试一下性能如何。
空盘分别测试了1G和10G的速度，三星的颗粒真不是吹的，几乎没区别。这盘的速度和三星原装主控的盘速度很接近。58H的主控4K方面好像要比46EN的强一些。
好多人说写满之后会掉速很多，特地全盘写满之后留12G跑一下，居然和空盘一样的速度，这样看来这个盘即使写到最后一个G，速度还是和之前一样。
由于时间关系，跑一圈OK。到此全部结束，装壳做系统。
上两个成品图。下面还有4个空焊盘，可惜没有颗粒了，全部上满512GB。
4DIE的颗粒真是薄的害怕，加了转接片都没有电容高。。。。。。。
有什么错误或者不足之处，还请不吝赐教。
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雷达卡
发表于 2019-11-5 04:40:30
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