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本帖最后由 Meise 于 2025-2-20 18:53 编辑
各位科技爱好者注意啦!在ISSCC 2025国际固态电路会议上,Kioxia与Sandisk共同展示了其最新研发成果——采用332层堆叠结构的第十代3D闪存技术。这项创新不仅将数据传输速度提升至4.8Gb/s,更在能耗控制方面实现重要突破,标志着存储技术进入全新发展阶段。
此次技术突破的核心源于三大创新:CBA(CMOS直接键合阵列)技术如同为存储芯片装上"直达电梯",省去传统布线环节;Toggle DDR6.0接口标准搭配SCA协议,让指令传输效率提升30%;PI-LTT电源隔离技术则像给电路装上"节能开关",使数据输出功耗直降34%。相较于正在量产的第八代产品,新款闪存的接口速度提升33%,输入功耗降低10%,真正实现性能与能效的双重优化。
更令人期待的是,通过将存储层数增加至332层并优化内部结构,新一代闪存的存储密度较前代提升59%。这意味着未来智能手机有望在保持轻薄设计的同时实现TB级存储,而数据中心则能以更小体积承载海量数据。Kioxia首席技术官宫岛英司强调:"AI技术的普及使得数据存储需求呈指数级增长,我们的技术将为下一代存储解决方案奠定基础。"
Sandisk全球战略与技术高级副总裁Alper Ilkbahar透露,即将量产的第九代产品将采用新旧技术融合方案,在控制成本的前提下实现高性能与低功耗。目前两家企业已建立灵活的技术组合方案,可根据不同市场需求快速调整产品特性,覆盖从消费电子到企业级存储的全场景应用。
从技术参数来看,这项突破不仅刷新了NAND闪存的性能记录,更预示着存储技术的演进方向。随着332层堆叠技术的成熟,未来两年内我们或将看到具备10GB/s读写速度的消费级SSD,以及体积更小、容量翻倍的数据中心存储方案。在AI与大数据持续发展的背景下,存储技术的进步正在为数字社会构建更坚实的数据地基。
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