美光1γ制程首秀！DDR5内存提速15%功耗直降20%，AI算力再添猛将

土耳鸡烤鸡

东京发布会的展台上，一片承载着精密电路的晶圆在灯光下泛起虹彩——这正是美光打磨三年的1γ制程DRAM。2025年2月27日，这家存储巨头揭晓了首款采用极紫外光刻技术的内存芯片，通过13.5nm波长工艺实现晶体管密度30%的提升，较前代产品能耗直降20%。技术团队用"纳米刺绣"来形容新工艺的精密度：原本需要多重曝光的复杂结构，现在单次EUV曝光即可成型。

与传统193nm光刻技术相比，EUV工艺的突破性进展肉眼可见。在展示区对比模型中，新工艺制作的线路宽度仅有前代的四分之一，相当于在邮票大小的区域多存入30%的数据。更关键的是，配合High-k金属栅极技术与电路设计优化，新一代内存在9200MT/s的高频运行下，功耗反而降低五分之一。这对于日均耗电量堪比中小型城市的数据中心而言，意味着每年数百万美元的电费缩减。

首批量产的16Gb DDR5芯片已向战略合作伙伴供货，虽然当前生产任务由台系晶圆厂承担，但日本广岛工厂的改造工程已进入冲刺阶段。据生产线规划图显示，这座拥有三十年历史的制造基地将在2025年末完成EUV设备部署，2026年正式转为量产主力。工厂负责人透露，改造后的广岛产线内存产能预计提升35%，重点满足亚太地区AI服务器需求。

研发实验室的进展同样引人注目，正在试制的第七代1δ制程已实现更精细的电路结构。展区角落陈列的3D堆叠DRAM原型，则展现出美光向立体存储进军的野心——这种借鉴NAND闪存的技术路线，未来可能打破平面存储的物理限制。技术团队表示，他们正在同时推进五条技术路线，以确保在2028年前实现内存容量三级跳。

行业数据显示，新内存的9200MT/s传输速度较当前主流DDR5快15%，在模拟测试中，百GB级游戏加载时间缩短18秒，8K视频工程文件渲染效率提升25%。微软Azure技术团队证实，搭载该内存的测试用服务器在处理大语言模型时，响应速度提升22%，功耗曲线显著优化。消费电子领域，多家主板厂商已着手适配新内存标准，预计2026年将迎来首批支持DDR5-9200的市售产品。