NEO半导体推出1T1C/3T0C 3D X-DRAM技术:密度×10 功耗降92%

Meise

存储器创新企业NEO半导体5月8日宣布重大技术突破，成功研发出基于铟镓锌氧化物（IGZO）的3D X-DRAM存储单元结构。新推出的1T1C（单晶体管单电容）与3T0C（三晶体管无电容）设计方案，有望将DRAM存储密度提升至512Gb，为当前主流产品的10倍。

该技术融合3D NAND堆叠工艺与DRAM性能特性，通过纵向堆叠256层单元实现高密度存储。模拟测试显示其数据保持时间达450秒，远超传统DRAM的64毫秒刷新周期，可降低92%的电力消耗。CEO Andy Hsu在发布会上表示："我们已成功通过TCAD模拟验证，新型架构在10纳米级工艺下可实现10纳秒读写速度。"

技术亮点包含三大产品形态：
1T1C方案兼容现有DRAM与HBM生态系统，适用于高带宽存储场景
3T0C无电容设计专为AI存内计算优化，支持电流感应运算
1T0C浮体晶体管架构适用于逻辑存储混合芯片

生产线验证方面，该技术兼容85%的3D NAND现有设备，只需对15%的蚀刻与沉积工艺进行改造。公司计划2026年投片首款工程样品，2027年实现规模化量产。

值得一提的是，研发团队即将参加于本月18-21日在美国加州举办的IEEE国际内存研讨会，现场将展示存储阵列架构的六层测试晶圆。行业分析师指出，该技术若成功商业化，可缓解AI服务器面临的"内存墙"瓶颈。（消息来源：NEO Semiconductor官方公告）