论颗粒的单ce写入速度

fanallen · 发表于 2020-2-24 10:32:22

本帖最后由 fanallen 于 2020-2-24 11:49 编辑

先说一下想起这个话题的起因：收了块46en固态盘，比较奇葩的单焊盘单颗粒，316脚位，开出来后速度炸裂。

自己以前见到的速度比较快的颗粒，基本都是东芝tog系的颗粒，比如，DDK，DDJ，JFL以及闪迪同晶元颗粒。

举个栗子，本人常用0DFK双贴46en做256SSD，单贴速度读330，写290，4ce的颗粒，写290，平均每ce写在73左右。
个人感觉，已经是很快的颗粒。
没想到，手里的这块奇葩单颗粒的盘，速度还在这之上。

看下这块盘的真容

再看一下ce分布：

颗粒是海力士H27Q1T8CQF3R，信息如下：

4ce的颗粒，速度能有多少呢？

上一下跑分图，及全盘图：

单颗4ce，写入370，可以说相当可观了。平均每ce有90+的写入速度。

再返回来分析一下这个颗粒为什么这么快，个人感觉有如下原因：
1、这颗是4ce/16die的颗粒，在46en上开启交错，相当于16个ce，算下来每个die写入速度在20多点，这就属于中规中矩的速度了。
2、316的颗粒，轻易实现单颗粒4通道，不管是读还是写，全面开启4通道，直接榨干46en的性能。

海力士的TLC（主要是2D时代）被人诟病，外号“掉电王”，但前期的MLC颗粒，还是不错的。

SLC，MLC的时代，高速度的来源无非是堆ce或堆die，进入3D时代后，有了全盘模拟的cache，很少的ce就能跑出瞬时的高速度，当然，全盘速度还是依赖于ce数量的。
所以，不同时代的不同产品，都有对应的算法与之呼应，可能这就是发展吧。

david6620741 · 发表于 2020-2-24 11:00:29

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海思麒麟 · 发表于 2020-2-24 11:22:23

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陈楚生 · 发表于 2020-2-24 11:35:39

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fanallen · 发表于 2020-2-24 11:49:32

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zhuyimin · 发表于 2020-2-24 11:53:57

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fanallen · 发表于 2020-2-24 11:57:02

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zhuyimin · 发表于 2020-2-24 12:06:41

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sonic7216 · 发表于 2020-2-24 13:39:05

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fanallen · 发表于 2020-2-24 13:58:13

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Rico.Dp · 发表于 2020-2-24 16:50:06

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fanallen · 发表于 2020-2-25 12:02:31

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zhangruichao · 发表于 2020-2-26 14:57:01

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zhuyimin · 发表于 2020-2-26 20:06:49

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pontifex · 发表于 2020-2-27 17:01:30

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527945545 · 发表于 2020-2-29 19:12:17

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丶陪妳看流星 · 发表于 2020-3-1 11:42:30

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伟诚家电 · 发表于 2020-3-4 21:32:46

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fanallen · 发表于 2020-3-4 23:56:35

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伟诚家电 · 发表于 2020-3-5 19:39:26

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