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本帖最后由 fanallen 于 2020-2-24 11:49 编辑
先说一下想起这个话题的起因:收了块46en固态盘,比较奇葩的单焊盘单颗粒,316脚位,开出来后速度炸裂。
自己以前见到的速度比较快的颗粒,基本都是东芝tog系的颗粒,比如,DDK,DDJ,JFL以及闪迪同晶元颗粒。
举个栗子,本人常用0DFK双贴46en做256SSD,单贴速度读330,写290,4ce的颗粒,写290,平均每ce写在73左右。
个人感觉,已经是很快的颗粒。
没想到,手里的这块奇葩单颗粒的盘,速度还在这之上。
看下这块盘的真容
再看一下ce分布:
颗粒是海力士H27Q1T8CQF3R,信息如下:
4ce的颗粒,速度能有多少呢?
上一下跑分图,及全盘图:
单颗4ce,写入370,可以说相当可观了。平均每ce有90+的写入速度。
再返回来分析一下这个颗粒为什么这么快,个人感觉有如下原因:
1、这颗是4ce/16die的颗粒,在46en上开启交错,相当于16个ce,算下来每个die写入速度在20多点,这就属于中规中矩的速度了。
2、316的颗粒,轻易实现单颗粒4通道,不管是读还是写,全面开启4通道,直接榨干46en的性能。
海力士的TLC(主要是2D时代)被人诟病,外号“掉电王”,但前期的MLC颗粒,还是不错的。
SLC,MLC的时代,高速度的来源无非是堆ce或堆die,进入3D时代后,有了全盘模拟的cache,很少的ce就能跑出瞬时的高速度,当然,全盘速度还是依赖于ce数量的。
所以,不同时代的不同产品,都有对应的算法与之呼应,可能这就是发展吧。
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