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[其他] 请教单通道和双通道的速度差异

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发表于 2019-12-28 16:38:25 | 显示全部楼层 |阅读模式

爱科技、爱创意、爱折腾、爱极致,我们都是技术控

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        排除不同主控间的性能差异,以下2种在读写速度上有何差异?单通道主控一般只支持不超过4CE,所以用2x2CE做比较。


1、2片2CE的颗粒,双贴到4CE单通道主控上,比如SM3281。(1通道x4CE)
2、同型号2片2CE的颗粒,双贴到8CE双通道主控上,比如SM3280。(2通道x2CE)

是不是双通道写速翻倍,而读速,单、双通道基本一致?
还是说,写速基本一致,而读速双通道翻倍?








发表于 2019-12-28 17:22:37 | 显示全部楼层
读写都会有大幅提升,但达不到2倍!
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发表于 2019-12-29 14:53:15 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
我觉得有这么一个机制就是单个通道有速度最大值,如果这个F单通道下跑不满1/2最大值,你双贴在单通道的板子上,跟贴在双通道的板子上(假设主控单通道性能一模一样),是一样的
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发表于 2019-12-29 14:59:28 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
我拿某个芯片贴917双贴跟单贴,无论单双贴读取速度都已经喂饱了主控(100多MB/s),写速度则正好翻倍

我拿个还不错的芯片单双贴903,无论单双贴读取速度已经喂饱了主控(300MB/S左右),写速度略低于翻倍

我觉得其实就是在还未喂饱主控前,跟CE数成正比例关系
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发表于 2019-12-29 17:46:55 | 显示全部楼层
本帖最后由 fanallen 于 2019-12-29 17:50 编辑

较新制程的颗粒,尤其是3D的颗粒,读速度能轻易喂饱主控。比如3281,1ce基本就能跑到读上限(260左右),所对2ce及以上的颗粒,在不同主控上的读速度,基本都是该主控的上限。
对于写速度,新制程的颗粒喂饱主控的可能性就很小了。在这种情况下,单通道与多通道的全盘速度差别就不会很大,但可能多少有区别。比如64G 2ce L06B,单贴3281写80,单贴3280写82。

再说单贴与双贴(其实就是堆ce数量),在喂饱主控写上限之前,ce数量翻倍后,写速度会明显提升,但可能不完全是整数倍的关系 ,可能是1.5倍-2倍之间的速度。
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 楼主| 发表于 2019-12-29 18:05:06 | 显示全部楼层
本帖最后由 kkklove 于 2019-12-29 18:10 编辑
lzhq0071 发表于 2019-12-29 14:59
我拿某个芯片贴917双贴跟单贴,无论单双贴读取速度都已经喂饱了主控(100多MB/s),写速度则正好翻倍

我拿个 ...

你的意思是,假如我的例子中的2x2CE都没有喂饱主控性能,那么,这2片贴在单通道主控和双通道主控上,没有任何区别(少量误差除外)??
因为CE数量在2个主控板上都没有超额,所以CE数量不用考虑,无非就是1x4CE和2X2CE的区别。那么同样都是inter4的情况下,2者速度是一致的。是吧。
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 楼主| 发表于 2019-12-29 18:18:17 | 显示全部楼层
本帖最后由 kkklove 于 2019-12-29 18:19 编辑
fanallen 发表于 2019-12-29 17:46
较新制程的颗粒,尤其是3D的颗粒,读速度能轻易喂饱主控。比如3281,1ce基本就能跑到读上限(260左右),所 ...

又是兄弟你啊。

CE数量的影响我明白,所以我的假定案例都没有超过主控板inter限制。

我只是想判断,手头2片2CE的(不是什么读取能够超200M的好片),到底上3267这种还是903这种好,双通道能给出什么结果。如果差不多,就不上903了,浪费。
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发表于 2019-12-29 18:36:30 | 显示全部楼层
kkklove 发表于 2019-12-29 18:18
又是兄弟你啊。

CE数量的影响我明白,所以我的假定案例都没有超过主控板inter限制。

什么片子,看我贴过没。
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 楼主| 发表于 2019-12-29 18:41:21 | 显示全部楼层
fanallen 发表于 2019-12-29 18:36
什么片子,看我贴过没。

Intel JS29F16B08CAME1 2CE DDR TSOP 25nm 16G MLC
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发表于 2019-12-29 18:48:31 | 显示全部楼层
本帖最后由 fanallen 于 2019-12-29 18:49 编辑
kkklove 发表于 2019-12-29 18:41
Intel JS29F16B08CAME1 2CE DDR TSOP 25nm 16G MLC

单贴3267预计读125写25,双贴预计读130写50
上903读速度会高不少,写估计也能再快一点。
我感觉上3268比较好,同样颗粒,在3268上比在3267上速度会快不少。


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 楼主| 发表于 2019-12-29 18:52:32 | 显示全部楼层
本帖最后由 kkklove 于 2019-12-29 18:55 编辑
fanallen 发表于 2019-12-29 18:48
单贴3267预计读125写25,双贴预计读130写50
上903读速度会高不少,写估计也能再快一点。
我感觉上3268比较 ...

现在这2片在916上,写50 读94
我印象中,以前羊总有个帖子,8G FACB的双贴到6221,读取能到200M。然而贴到902E上,却只有读85-90M。
我也有2片FACB贴在3267上,读70M顶天,感觉DDR无法开启的感觉。
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发表于 2019-12-29 19:50:32 | 显示全部楼层
Intel JS29F16B08CAME1 单贴读取喂不饱903,双贴才行。


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 楼主| 发表于 2019-12-29 20:07:29 | 显示全部楼层
本帖最后由 kkklove 于 2019-12-29 20:13 编辑
zhuyimin 发表于 2019-12-29 19:50
Intel JS29F16B08CAME1 单贴读取喂不饱903,双贴才行。



当然是双贴。你点错了。JS29F16B08CAME1 上903双贴开DDR,竟然能200M哦。那我肯定上903了。




同样的片子,上902E,就128M


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发表于 2019-12-29 20:18:17 | 显示全部楼层
kkklove 发表于 2019-12-29 20:07
当然是双贴。你点错了。JS29F16B08CAME1 上903双贴开DDR,竟然能200M哦。那我肯定上903了。

那个点 是给其他人截图是点的。发个你没改。
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发表于 2019-12-29 22:34:39 | 显示全部楼层
可能类似于RAID0吧
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发表于 2019-12-30 00:50:50 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
kkklove 发表于 2019-12-29 18:05
你的意思是,假如我的例子中的2x2CE都没有喂饱主控性能,那么,这2片贴在单通道主控和双通道主控上,没有 ...

嗯我觉得是这样
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发表于 2019-12-30 00:56:35 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
fanallen 发表于 2019-12-29 17:46
较新制程的颗粒,尤其是3D的颗粒,读速度能轻易喂饱主控。比如3281,1ce基本就能跑到读上限(260左右),所 ...

在芯片速度比较低的时候可以实现正好2倍关系
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