Intel 5年内量产纳米线/纳米带晶体管 搭档3nm？

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稿源：快科技

Intel这几年虽然在制造工艺上步伐慢了很多，但是说起半导体前沿技术研究和储备，Intel的实力仍是行业数一数二的。在近日的国际超大规模集成电路会议上，Intel首席技术官、Intel实验室总监Mike Mayberry就畅谈了未来的晶体管结构研究，包括GAA环绕栅极、2D MBCFET多桥-通道场效应管纳米片结构，乃至最终摆脱CMOS。

FinFET立体晶体管是Intel 22nm、台积电16nm、三星14nm工艺节点上引入的，仍在持续推进，而接下来最有希望的变革就是GAA环绕栅极结构，重新设计晶体管底层结构，而且可以做得很小(nanowire纳米线)，也可以做得很宽(nanosheet纳米片)。

这方面比较高调的当属三星，早就宣布将在3nm工艺节点上应用GAA结构。台积电、Intel则没有公布或确定具体计划。

在会议问答阶段，有记者问起Mike Mayberry，纳米线、纳米带(nanoribbon)结构的晶体管何时能够投入大规模量产，他表示虽然没有明确的路线图，但粗略估计未来5年内有戏。

根据早先公布的模糊路线图，Intel未来将每两年进行一次工艺节点重大升级，而每一代工艺都会有+、++两次优化增强，2021年是7nm，首发用于高性能计算GPU Ponte Vecchio，2023年预计进入5nm并同时有7nm++，2025年转入3nm并同时有5nm++。

按照Mike Mayberry给出的时间表，如果乐观激进的话，Intel有望在3nm工艺上应用全新的纳米结构晶体管，或者慢一点的话到时候还是5nm。

他还展望了更遥远的未来，2030年前有望进入神经拟态(neuromorphic)的计算时代，而至于量子计算，可能要2030-2035年才能真正投入商用。