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[工仪] 巧用毫欧表测量MOS管的通态电阻,还有进阶方案

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发表于 2021-7-16 10:09:27 | 显示全部楼层 |阅读模式

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通态电阻Ron是MOS管除耐压、电流外的一个重要参数,小Ron的MOS管通常做开关用,其耗散功率主要就是Ron导致的了
Ron不是个恒量,随Vgs、Id、温度都有变化
Ron与Id、Vgs和Tj关系.png


工作中用到的Ron测试仪是采用大电流脉冲测试,在保证接近MOS管测试条件情况下,尽量减小结温的影响
但那台Ron测试仪显示分辨率为1mΩ,而且还不能测试PMOS管
MOS测试仪.jpg


前两天需要找一个MOS管通态电阻的快捷测试方法,就想到了测电阻的毫欧表
P10713-171236.jpg


测试夹开路电压是5V,低了点,但还是可以用的
P10713-171315.jpg


测试电流为1A,测小Ron的MOS管还可以,最多几十mW,也不用担心芯片发热了
P10713-171401.jpg


拟定如下的简易测试方法
其他不需要,就只用这台毫欧表来测试
测试方法.png


下面验证一下
先测个大电流的NMOS管:40V、195A、1.6mΩ,Ron曲线如下图
大管子的Ron参数.png


红夹子接G、黑夹子接S,先给栅极充电
P10713-171643.jpg


然后黑夹子不懂,红夹子接散热片的漏极
在5V栅极电压下,Ron要比5.5V大些,正常
P10713-171729.jpg


再找个Vgs低点的NMOS看下
40V、33A、8mΩ小管子的Ron曲线:
低Vgs的Ron参数.png


依然先给栅极充电,9mΩ比较符合手册上的Ron曲线了
P10713-173119.jpg


再试下电压高点的NMOS,150V、45A、40mΩ
这颗Vgs参数高点,所以5V下测得的Ron偏高
P10714-092133.jpg


PMOS也得验证一下
-100V、-26A、59mΩ的PMOS管,Ron参数如下:
PMOS的Ron参数.png


红夹子接S、黑夹子接G,给栅极反向充电
P10714-092413.jpg


然后黑夹子夹散热片的漏极D,红夹子仍接源极S
Ron稍有些偏大,应该也是Vgs偏低的原因
P10714-092925.jpg


昨天有坛友发帖问MOS管的D、S能不能反向用,这里正好偶也拍了照片可以说明
这是上面那颗PMOS管,红夹子接D、黑夹子接S(和正常接法相反)的Ron,几乎和正接是一毛一样的
所以排除体二极管的影响,MOS管D、S可以看着是等同的,反接一样的工作
这是以前反接PMOS的一个充电电路,可供参考:http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=2537577
P10714-093243.jpg


上面的测试方法很简单,测试值用来粗略判断完全够了,但是有两个缺点:

1. 毫欧表的开路电压偏低,导致测量的Ron偏大一点
2. 手不能碰栅极,不然充的电很快就放光了


因此又设计了下面这个进阶方案:
简易测试架示意图.png
用9V电池电压也接近10V了,就算栅极电压比10V高,Ron也没太大影响了,所以够用了,而且几乎没耗电(至少应该比自放电还低),一节电池可以用很久。开关用来切换选择NMOS或PMOS
唯一麻烦的是插MOS管的测试座,最好也是开尔文结构,可以排除接触电阻误差,但偶还没想好怎么来做这个小插座,有点子的朋友可以指点一下


这方法适用Ron在100mΩ以下的MOS管是没问题的,太大的花发热会有一定影响
欢迎大家围观、指点,谢谢先!



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发表于 2021-7-16 10:29:49 | 显示全部楼层
真的需要测MOS管RDS的时候,我都是直接GS给10V电压,然后内阻表直接测DS就OK了,
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发表于 2021-7-16 10:35:07 | 显示全部楼层
牛掰了,可以淘宝打假用了
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发表于 2021-7-16 10:44:23 | 显示全部楼层
你需要    image.png      :lol:
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发表于 2021-7-16 10:48:10 | 显示全部楼层
908836904.jpg
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 楼主| 发表于 2021-7-16 11:36:40 | 显示全部楼层
拆机专家123 发表于 2021-7-16 10:29
真的需要测MOS管RDS的时候,我都是直接GS给10V电压,然后内阻表直接测DS就OK了, ...

这个方法就是省得外接电源了
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发表于 2021-7-16 11:45:38 | 显示全部楼层
老哥玩的高级啊。
等待进阶方案出板子。

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发表于 2021-7-16 11:57:06 | 显示全部楼层
测rdson一般用电池内阻测试仪,加个栅压很方便,业余条件恒流法加mv档也能测个大概~

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发表于 2021-7-16 13:08:23 | 显示全部楼层
这个必须学习了

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发表于 2021-7-16 15:09:08 | 显示全部楼层
一直都是用电桥测试MOS内阻,非常准非常爽。一些国产防国外型号的内阻明显不达标,二手拆机的只要没坏,基本都能够达到官方PDF介绍的内阻值
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 楼主| 发表于 2021-7-16 16:05:23 | 显示全部楼层
aacyxjz 发表于 2021-7-16 10:35
牛掰了,可以淘宝打假用了

可以的,就是批量测试要进阶版才方便
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发表于 2021-7-16 16:25:06 | 显示全部楼层
元首做事太认真了,谢谢您的测试资料,等我也做一个背靠背的3205MOS管玩一下。等会我也实测一下手头的各类MOS管子的导通内阻吧。
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发表于 2021-7-16 17:09:21 | 显示全部楼层
毫欧表、内阻表、电桥都可以测试,就是得先让MOS管导通

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 楼主| 发表于 2021-7-16 20:27:38 | 显示全部楼层

谢谢分享,原来还有成品呀
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 楼主| 发表于 2021-7-17 07:38:02 | 显示全部楼层

好,进阶版就用这个
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 楼主| 发表于 2021-7-17 11:39:43 | 显示全部楼层
zzqqzzz 发表于 2021-7-16 11:45
老哥玩的高级啊。
等待进阶方案出板子。

就用洞洞板搭了
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 楼主| 发表于 2021-7-17 17:00:12 | 显示全部楼层
qrut 发表于 2021-7-16 11:57
测rdson一般用电池内阻测试仪,加个栅压很方便,业余条件恒流法加mv档也能测个大概~ ...

嗯嗯,主要就是这简单方法不用其他东西辅助了
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发表于 2021-7-17 20:08:54 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
牛逼                 
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 楼主| 发表于 2021-7-18 07:46:12 | 显示全部楼层
mhtlov 发表于 2021-7-16 13:08
这个必须学习了

做成座子的更简单哈
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 楼主| 发表于 2021-7-18 10:19:04 | 显示全部楼层
shaweihang 发表于 2021-7-16 15:09
一直都是用电桥测试MOS内阻,非常准非常爽。一些国产防国外型号的内阻明显不达标,二手拆机的只要没坏,基 ...

呜呜呜,看来偶是大大落后了
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