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编辑-Z ASEMI的MOS管24N50参数: 型号:24N50 漏源电压(VDSS):500V 连续漏极电流(ID):24A 栅源电压(VGSS):±30V 功耗(PD):290W 漏源漏电流(IDSS):50uA 栅极阈值电压(VGS(TH)):4V 静态漏源导通电阻(RDS(ON)):0.24Ω 输出电容(COSS):670pF 最大脉冲正向电流(ISM):96A 漏源二极管正向电压(VSD):1.4V 反向恢复时间(trr):250nS 24N50封装尺寸: 封装:TO-247 总长度:41.55mm 本体长度:21.3mm 引脚长度:20.25mm 宽度:16.25mm 高度:5.05mm 脚间距:5.7mm 24N50特征: 高开关速度 100%雪崩测试
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