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[Toshiba] SSD固态硬盘断电一年则数据可能丢失的前提,是擦除量已用完吗?

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发表于 2022-11-12 08:23:10 | 显示全部楼层 |阅读模式

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    微信图片_20221112074859.jpg

     请问,SSD固态硬盘断电一年则数据可能丢失重要前提,是擦除量已用完吗?
     想买2T的SSD当移动硬盘,因为现在2T以上的普通机械硬盘全是叠瓦,既慢又怕摔。而SSD不像机械硬盘怕摔,写入速度也快。



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发表于 2022-11-12 09:14:23 | 显示全部楼层
叠瓦盘也是磁记录哈,它和SSD的数据记录方式是不同的。就数据保存期来看,传统硬盘更有优势。
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发表于 2022-11-12 09:16:22 | 显示全部楼层
机械硬盘长时间存放都会出现消磁读取困难,但相对于固态硬盘,长期存储数据更可靠。

固态硬盘擦除量和断电存放也是有不同的:
擦除量是针对正片闪存的,而其他白片或者降级片、黑片,则是存在各种不稳定的情况,有的可能本身就存在弱块(不能长时间保持数据准确);
断电数据保存有效时间,是基于实验室测试结论,时间还会受到温度和闪存体制差异影响,实际环境下或许会更短也或许会更长。不同工艺的闪存也是有差别的。另外所谓的企业级闪存,在pe寿命耗尽后,官方给出的时间是1个月;

大容量固态,很多是挖矿淘汰下来的清零过的,又或者使用的不是全新正片,如果你的数据相对重要,建议购买有自有闪存厂的全新固态,且数据做双重备份
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发表于 2022-11-12 09:16:29 | 显示全部楼层
电子跃迁导致数据失效,与写入量无关
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发表于 2022-11-12 09:22:00 | 显示全部楼层
现在2T以上都是叠瓦盘?    不是说叠瓦盘不可靠现在基本不用这个技术了么?
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发表于 2022-11-12 09:24:12 | 显示全部楼层
数码产品不是用坏的,是放坏的
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发表于 2022-11-12 09:29:29 | 显示全部楼层
就数据保存期来看,传统硬盘更有优势。
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发表于 2022-11-12 09:36:16 | 显示全部楼层
是里面的电子跑掉了,也就是里面最小存储单元的MOS漏电了,跟擦除没太大关系。不过擦除的次数越多,这种漏电的概率就更高。有的时候也跟材料有关系或设计关系,例如绝缘层的厚度

通常正规厂商采购一批货都会进行高温老化测试的,模拟自然存储的失效。这个是通用规范标准来的
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发表于 2022-11-12 09:49:56 | 显示全部楼层
目前来说,长时间存储还是机械硬盘可靠些。
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发表于 2022-11-12 09:53:15 | 显示全部楼层
杂牌固态用的部分不达标的芯片差不多一年就无了,甚至不用1年,不用寿命写完,闪存厂商指的寿命写完后1年是指原装正片,原装正片寿命没怎么用过时候保存4-5年都没啥问题,但是很多厂商都买闪存厂商测试不通过的晶圆回来自己封装然后做固态,那种几个月就有部分块漏电了,然后主控开启纠错,所以几个月不用拿出来读取速度会非常慢,然后再久一点漏电的块数大于纠错能力了数据就寄了
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发表于 2022-11-12 10:46:19 | 显示全部楼层
固态硬盘 就算名牌全新盘写入几次,如果断电后1年以上不在上电, 都会因为固态物理最小存储单元 没电压保持 恢复原样。
机械硬盘 因为是磁力的 可以断电后几年不上电,都没事但不能放在强磁环境中。
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发表于 2022-11-12 16:02:54 | 显示全部楼层

数码产品不是用坏的,是放坏的!!!
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发表于 2022-11-12 19:31:13 | 显示全部楼层
本帖最后由 wulishui 于 2022-11-12 19:41 编辑
asus21 发表于 2022-11-12 09:16
电子跃迁导致数据失效,与写入量无关

什么电子跃迁,没有那么高科技。你要搞懂,电子跃迁是需要能量的,电子从低能区跳到高能去称为跃迁,从低能区跳到高能区需要外部提供能量,能量足够高的话电子就脱离原子飞出去了,按你想法,断电反而有能量提供吗?

原因是氧化膜绝缘层,所谓绝缘只是理论上绝缘,实际做不到绝对绝缘,电子会慢慢通过不是绝对绝缘的绝缘层泄漏,slc之所以可以保存更久并不是不漏电,而是一来只需要判断容器里面有没有电,而什么mlc,zlc之类是需要判断电位,漏低一点就张三变成李四,储存单元并没有坏,读出的数据却是错的,二来是制程越旧绝缘膜越厚,绝缘效果越好。所以这和寿命没有绝对关系。也并非插着电就不会漏电,想得美!不然DRAM为什么要刷新?插着电出错率降低并不是因为会充电,而是因为主控纠错机制发现出错的数据会纠正然后重新写回去,仅仅是限于它发现的。发现什么又依赖于系统会不会读取那一部分数据,所以定期整盘读出再写回一次才是有效避免漏电造成数据损坏的最佳办法。

而影响绝缘层绝缘能力的原因一个是制程,越老的制程绝缘效果越好,越新的什么15nm的,9nm,越比25nm的差;一个是工艺不良、杂质越多绝缘能力越差,sk的漏电并不是制程问题,而是工艺问题;一个是寿命,绝缘层是有寿命的,充电、高温会损伤绝缘层,所以越用得久就越快漏电。
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发表于 2022-11-12 20:36:21 | 显示全部楼层
wulishui 发表于 2022-11-12 19:31
什么电子跃迁,没有那么高科技。你要搞懂,电子跃迁是需要能量的,电子从低能区跳到高能去称为跃迁,从低 ...

3D工艺演进到现在的B47跟BICS5制程都有个特点是改进了约束层结构,较高的工作温度下也不会发生电荷流失,说人话就是高温不漏电了,高温RDT没有参考意义,我实测过BICS5丢110度里烤了6个小时拿出来校验 一个C3都没有 非常离谱
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发表于 2022-11-13 01:07:01 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
wulishui 发表于 2022-11-12 19:31
什么电子跃迁,没有那么高科技。你要搞懂,电子跃迁是需要能量的,电子从低能区跳到高能去称为跃迁,从低 ...

我的三星tf就是断电长了数据读取速度很慢,你说这全部读出再写入那就太麻烦了。是不是chkdsk就能刷新数据了
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发表于 2022-11-13 05:54:54 | 显示全部楼层
wulishui 发表于 2022-11-12 19:31
什么电子跃迁,没有那么高科技。你要搞懂,电子跃迁是需要能量的,电子从低能区跳到高能去称为跃迁,从低 ...

这位兄弟回答的正解,看来这世上还是有明白人的
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发表于 2023-2-10 20:48:21 来自手机浏览器 | 显示全部楼层
直接tlc颗粒开成slc,,数据保存期二三十年以上。
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发表于 2023-2-11 12:44:25 | 显示全部楼层
dongfangw 发表于 2023-2-10 20:48
直接tlc颗粒开成slc,,数据保存期二三十年以上。

请问tlc怎么开slc,需要主控支持吗
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