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SK海力士去年宣布,已成功开发出全球首款集成HKMG工艺的LPDDR5X内存,采用1αnm工艺制造,并开始推向市场。不过近期SK海力士在DRAM生产过程中出现事故,原因在于high-k材料存在质量问题。
据The Elec报道,这起DRAM生产事故的原因是SK Trichem提供的锆(Zr)基high-k材料含有杂质,导致SK海力士DRAM工厂的部分生产设备停止运行。SK海力士表示,由于立即安排了清洁等措施应对,所以事故没有造成生产上的损失。
SK海力士称,正在对SK Trichem造成的设备生产中断和更换零件等情况进行必要的审查,会按照合同条款对SK Trichem要求赔偿。目前SK海力士已暂停从SK Trichem采购材料,直到问题解决为止。
为了应付未来一段时间的生产,SK海力士所需的high-k材料暂时由UP Chemical和M Chemical供应。其中UP Chemical在数年前被国内企业收购了96.28%的股权,这是全球仅有的三家实现半导体存储芯片SOD产品稳定量产供应的半导体材料厂商之一。
SK Trichem表示,这次事故的原因是其提供的high-k材料的纯度有问题,导致某些设备的压力增加,从而出现停产。high-k材料属于前驱体材料,沉积在DRAM电容器的原子水平上,由于电容器直接决定DRAM的性能,因此high-k材料的质量至关重要。目前SK Trichem仍在为SK海力士同一生产线的其他设备提供材料,并计划在本月末向SK海力士恢复供应,提供符合质量要求的产品。
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