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[SMI] SM2258XT支持Toshiba 2V24和1V24的参数设置,测试通过,也可以跑RDT

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发表于 2023-3-5 22:20:41 | 显示全部楼层 |阅读模式
最近买了2258XT的测试架,想着把手里的1V24和2V24 TOSHIBA BICS4的片子都测试一遍。之前做过1V24的2258XT,但是2V24一直无法通过。后来参考了2263XT里面设置,把红色的部分翻倍,就可以了。跑RDT也可以,跑圈测试也过来。给大家参考一下。

A110=Toshiba,256Gbit,TH58LJT1V24BA8H-0(bics4)(Toggle)
Toshiba,256Gbit,TH58LJT1V24BA8H-0(bics4)(Toggle)=98,3E,99,B3,7A,E3,4,16,1952,18432,1152,01980,00000,00800,02,02,04,2,72,00,0,99,7F,01,0303,A2,00,00,00,00,25,10,00,05,00,09,11,8F,00,120,1,0,02,04,06,FF,01,05,3,05,0008,0008,7F,01,01,00,00,00,00,88,88,00,00,0000,00,

A111=Toshiba,512Gbit,TH58LJT2V24BA8H-1(bics4)(Toggle)
Toshiba,512Gbit,TH58LJT2V24BA8H-1(bics4)(Toggle)=98,48,99,B3,7A,E3,4,16,1952,18432,1152,03960,03644,01000,02,02,04,2,72,00,0,99,7F,01,0303,A2,00,00,00,00,25,10,00,05,00,09,11,8F,00,120,1,0,02,04,06,FF,01,05,3,05,0008,0008,7F,01,01,00,00,00,00,88,88,00,00,0000,00,

这里是2263XT里面的参数:

Toshiba,4Tbit,TC58LJT2V24BA8H(bics4)(SM2263XT)=98,48,99,B3,7A,E3,4,16,1952,018432,1152,03916,03642,01000,02,02,04,2,72,00,0,99,7F,01,0303,A2,00,00,00,00,25,10,00,03,00,09,11,8F,00,120,3,0,02,04,06,FF,01,05,3,05,0002,0002,7F,01,01,AA,AA,77,77,77,77,AA,AA,77,77,77,77,0000,10,0001,00,00,0000,


这个是2263XT对Flashdb.set的参数的描述:
[ColumnName]
Manufacturer,Capacity,Part Number=ID0(H),ID1(H),ID2(H),ID3(H),ID4(H),ID5(H),
Flash Type(D),Page Size(D),Spare Byte(D),Block Size(D),Page Number(D),Block Number(D),Minimum Block Number(D),Die Address(H),
Plane Number(D),Internal Chip Number(D),CE Number(D),Channel(D),Flash Interface(H),Process(D),        
Sub-Process(H),Strong Weak Table Select(D),Flash CMD Option1(H),Flash CMD Option2(H),Table Setting(H),SLC CMD Ptn1(H),SLC CMD Ptn2(H),Reliable SLC Mode Option(H),SDR tWC(D),SDR tRC(D),DDR tWC(D),DDR tRC(D),CMD Set Table(D),Read Retry Table(D),SLC Read Retry Table(D),Initial Invalid Block Page(H),Initial Invalid Block Column(H),Initial Invalid Block Pattern(H),Initial Invalid Extend Option(H),ECC Bit(D),VccQ(D),Vcc(D),IO Driving 1(H),IO Driving 2(H),IO Driving 3(H),IO Driving 4(H),Endurance 1(D),Endurance 2(D),Endurance 3(D),Setting Status(H),Flash Status 1(H),Flash Status 2(H),SM2263XT Flash CMD Option 1(H),SM2263XT Flash CMD Option 2(H),SM2263XT Flash CMD Option 3(H),SM2263XT EVB_Driving1_18V(H),SM2263XT EVB_Driving2_18V(H),SM2263XT BGA_Driving1_18V(H),SM2263XT BGA_Driving2_18V(H),SM2263XT M2_Driving1_18V(H),SM2263XT M2_Driving2_18V(H),SM2263XT EVB_Driving1_12V(H),SM2263XT EVB_Driving2_12V(H),SM2263XT BGA_Driving1_12V(H),SM2263XT BGA_Driving2_12V(H),SM2263XT M2_Driving1_12V(H),SM2263XT M2_Driving2_12V(H),SM2263XT SLC_Block(H),SM2263XT ODT Option(H),SM2263XT Flash Status 3(H),SM2263XT Temperature Option(H),SM2263XT Data Training(H),SM2263XT SLC Endurance(D),


这是针对2V24颗粒部分参数的分解,主要是Page Size, Space, Block, Page Number, Block Number。一般Page Number比Block Number要大一点,估计是为OP做考虑的。
Manufacturer,Capacity,Part Number=ID0(H),ID1(H),ID2(H),ID3(H),ID4(H),ID5(H),
Flash Type(D),Page Size(D),Spare Byte(D),Block Size(D),Page Number(D),Block Number(D),Minimum Block Number(D),Die Address(H),
4,           16,           1952,         018432,       1152,          03916,          03642,                  01000,      


修改之后的2258XT跑RDT的工具我也贴出来,意思意思收个1家元。里面有1V24-RDT和2V24-RDT的配置,直接拿过去用就可以跑RDT。
之前的帖子好像不能修改,也没有说的很清楚,这里重新发一遍。


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发表于 2023-4-3 18:29:54 | 显示全部楼层
谢谢大佬的精彩奉献
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发表于 2023-6-6 09:56:30 | 显示全部楼层
谢谢分享,支持!!!
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发表于 2023-6-6 11:41:28 | 显示全部楼层
感谢楼主又学到了
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发表于 2023-10-22 09:36:48 | 显示全部楼层
谢谢分享,研究一下
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发表于 2023-10-23 15:27:32 | 显示全部楼层
谢谢分享,可以研究研究
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发表于 2023-10-23 17:18:53 | 显示全部楼层
谢谢分享,学习了。
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发表于 2024-1-11 20:39:42 | 显示全部楼层
谢谢分享,支持!!!
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