瑞萨电子宣布3.39亿美元收购Transphorm，拓展氮化镓GaN产品布局

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瑞萨电子宣布以每股 5.10 美元、总额 3.39 亿美元（IT之家备注：当前约 24.34 亿元人民币）收购美国氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm,，相比 1 月 10 日的收盘价溢价约 35%。

                               
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官方表示，此次收购将使瑞萨获得 GaN 内部技术，从而扩展其在电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电源以及快速充电器 / 适配器等快速增长市场的业务范围。

                               
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GaN 可实现更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的外形尺寸，从而实现更高效、更轻的结构以及更低的总体成本。根据行业研究，GaN 的需求预计每年将增长 50% 以上。

瑞萨表示，他们将采用 Transphorm 的汽车级 GaN 技术来开发新的增强型电源解决方案，例如用于电动汽车的 X-in-1 动力总成解决方案，以及面向计算、能源、工业和消费应用的解决方案。

瑞萨电子还表示，随着全球对高效电力系统的需求不断增加，相关产业正在向以碳化硅（SiC ）和 GaN 为代表的宽禁带（WBG ）材料过渡。在此背景下，瑞萨宣布已建立一条内部 SiC 生产线，并签署了为期 10 年的 SiC 晶圆供应协议。

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