三星电子否认重新设计 1b DRAM，力求提升性能和良率

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据IT之家 1 月 22 日消息(作者：故渊)，消息源 DigiTimes 今天（1 月 22 日）发布博文，报道称三星电子否认了关于重新设计其第五代 10nm 级 DRAM（1b DRAM）的报道。

IT之家昨日援引 ETNews 报道，三星电子内部为应对其 12nm 级 DRAM 内存产品面临的良率和性能双重困局，已在 2024 年底决定在改进现有 1b nm 工艺的同时从头设计新版 1b nm DRAM。

市场观察人士认为，三星修改 1b DRAM 设计的决定源于竞争压力。SK 海力士和美光已在 HBM 中采用 1b DRAM，而三星仍在使用之前的 1a DRAM。

此外，据报道，三星启动了名为“D1b-p”的开发项目，旨在提高其 DRAM 业务的竞争力，“p”代表“prime”，象征着卓越的品质，该项目重点关注提高电源效率和散热性能。

尽管三星是全球 DRAM 领域的领导者，但目前正面临来自 SK 海力士和美光的挑战。这两家公司都已成功商业化 1b DRAM，SK 海力士甚至在 2024 年 8 月率先完成了 1c DRAM 的开发。

有消息称，三星 Galaxy S25 系列智能手机即将发布，美光将成为其主要的移动 DRAM (LPDDR5) 供应商。这被认为是由于三星尚未完全解决 1b LPDDR5X 的良率和散热问题。

三星通过该媒体予以否认，称相关报道不准确。此次事件引发了业界广泛关注，凸显了存储芯片市场竞争的激烈程度。

尽管三星否认了重新设计的报道，但业内人士透露，三星的目标是提升 1b DRAM 的性能和良率。据称，重新设计涉及工艺调整，成本高昂且复杂，三星已紧急订购设备，计划在 2024 年底前完成安装和测试，更新后的 1b DRAM 预计将于 2025 年第二或第三季度量产。

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