三星联手长江存储攻坚400层NAND：绕不开的中国专利技术

Meise

半导体行业出了件新鲜事！三星电子近日确认与长江存储达成技术合作协议，将在下一代400层3D NAND闪存生产中采用中国企业的混合键合专利。这场跨国联手的背后逻辑很实在：

专利墙绕不过：长江存储2019年注册的混合键合技术（专利号CN110767665B），是堆叠400层存储单元的必备工艺，三星要推进技术必须获得授权
技术互补需求：长江存储自主研发的Xtacking架构已迭代至3.0版本，其晶圆键合精度达业界先进水平，三星的3D堆叠技术则保持行业领先地位
市场格局变动：据TrendForce数据，长江存储全球NAND市占率从2020年0.3%升至2024年5.7%，其232层产品良率突破85%，最新量产的294层产品将技术差距缩短至1年

协议内容显示，三星将开放部分存储单元结构专利，换取长江存储混合键合技术的使用权。韩国电子技术研究院报告指出，长江存储在3D NAND领域已积累127项专利，其中21项涉及200层以上堆叠技术。

地缘因素影响显著：受美国出口管制影响，长江存储的EUV光刻机采购计划受阻，其武汉工厂二期扩建推迟。通过与三星合作，既可获取先进制程经验，又能借助三星西安工厂的成熟产线推进技术落地——该工厂2023年NAND产量占全球18%。

存储行业研究机构TechInsights在最新报告中指出，这种行业领导者向后来者购买技术授权的模式具有标志性意义。目前SK海力士尚未公布类似合作，但其无锡工厂在2024年新增的3D NAND生产线设备清单中，已包含部分中国本土供应商。

kof宋小宝

这个专利绕不开，跟朗科那个U盘专利一样，属于是基础专利了。

zrx166

打不过就加入，没毛病。

sadfun

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