中国半导体突围战：长电科技获韩国12层HBM3E键合设备

Meise

面对美国技术F锁，中国半导体产业再出奇招。近日，韩国媒体报道称，中国封测龙头长电科技（JCET）从韩国企业购入一批热压键合机（TC Bonders），专门用于生产12层堆叠的HBM3E高带宽内存芯片。这类设备能大幅提升多层芯片堆叠的良率，被视为突破先进存储技术的关键工具。

尽管中国目前尚未量产HBM3E芯片，但此举已让产业界嗅到变革信号。长电科技获得的设备来自韩国非核心供应链企业，绕开了严格的出口管制，使中国HBM技术从现有的HBM2直接跃升至更先进层级。首尔大学电子信息工程系教授崔在赫指出："中国正由官方主导，从低附加值产品向HBM等高精尖领域转型，这与他们此前在DDR4/DDR5内存的布局一脉相承。"

数据显示，全球AI芯片设计市场规模去年已达184亿美元，预计到2032年将保持28%的年增速。中国计划通过国产HBM芯片供应华为、腾讯、深度求索（DeepSeek）等科技巨头，既规避美国出口限制，又推动产业升级。即便暂时不量产HBM3E，这些设备也能优化现有HBM产品的生产效率——比如提升良率10%-20%，对成本控制至关重要。

值得关注的是，中国存储厂商武汉新芯近期启动"高带宽存储芯粒先进封装技术"招标，计划新增17台设备实现月产3000片12英寸晶圆，目标直指HBM国产化。业内分析认为，中国正通过"设备引进+自主研发"双线并进，逐步构建完整产业链。

目前全球HBM市场由SK海力士（市占率53%）、三星（38%）和美光（9%）主导，三巨头正加速推进HBM4研发。而中国企业的入局，或将改变这场存储芯片争霸赛的格局。

mikelucky

反正不是给民用的 HBM民用成本高 才没普及