三星提速286层V9闪存量产 400层V10工艺遇冷延迟至2026

Meise

韩媒sisajournal-e昨天曝出重大产业动向：三星电子正开足马力将老旧NAND产线升级到最新的第九代V-NAND（当前最先进的286层堆叠闪存）。具体来说，三星正在韩国平泽P1工厂砸钱更新设备，准备把厂里现有的V6生产线全换成V9版本；同时中国西安的X2工厂也计划从V7/V8跃升到V9架构——这波操作明显冲着AI服务器市场去的，就想趁着企业级QLC固态硬盘需求回暖前卡住身位。

​​但戏剧性转折来了​​：备受期待的下一代400+层V10工艺突然踩了刹车！由于超低温蚀刻技术攻关遇阻，三星已经把V10量产时间表推到了2026年上半年。这意味着原定明年的量产线建设投资都得跟着延后，存储行业突破400层大关的里程碑得再多等两年。