日本Rapidus开动2nm芯片原型生产，工厂三年就位拼速度​

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专门从事先进逻辑半导体制造的日本公司 Rapidus，于近期公布了一项重要进展：其位于创新集成制造一号（IIM-1）工厂的2纳米（2nm）制程技术生产线，已正式开始制造采用全环绕栅极（GAA）晶体管架构的芯片原型。这些原型晶圆也已进入电学特性测试阶段。

Rapidus 将 IIM-1 定位为对传统晶圆代工模式的重大创新。该工厂旨在通过以下两项尖端方法与技术，重新构想半导体工厂如何实时思考、学习、适应和优化制程：

完全的单片前端处理（Fully single-wafer front-end processing）：​​ 与多数工厂同时处理多个晶圆不同，IIM-1 选择对每一片晶圆进行单独处理。这带来一个核心优势：可以对单一片晶圆的工艺参数进行调整并检查效果，若成功则立即应用到后续所有晶圆。单片处理能获取更丰富的数据，驱动人工智能（AI）模型训练，用于优化晶圆生产并提升良品率。Rapidus 是率先将完全单片处理技术商业化的公司之一，这也是其“快速统一制造服务”（Rapid and Unified Manufacturing Service, RUMs）的基石。

​​极紫外光刻（Extreme Ultraviolet lithography, EUV）：​​ EUV 光刻是实现 2nm 制程，尤其是形成 2nm 代 GAA 晶体管结构的关键技术。Rapidus 是日本首家引入先进 EUV 光刻设备的公司。设备于 2024 年 12 月交付后，仅用了约三个月时间，公司就在 2025 年 4 月 1 日成功完成了 EUV 曝光工序。

从 2023 年 9 月奠基开工，到 2024 年完成无尘室建设，再到 2025 年 6 月完成超过 200 台全球最先进半导体设备的连接集成，Rapidus 在不到三年的时间内实现了其 IIM-1 项目的设定目标。此次宣布 2nm GAA 晶体管原型生产的启动及其电学特性的获得，标志着这一关键目标的圆满达成。

当前，Rapidus 正在开发与其 IIM-1 工厂 2nm 制程工艺兼容的制程设计套件（Process Development Kit, PDK），计划于 2026 年第一季度向优先客户发布。该套件旨在为客户打造可启动自有芯片原型设计的环境。Rapidus 计划于 2027 年启动大规模量产。