美光HBM4突袭2.8TB/s带宽！定制化芯片时代来临

麻薯滑芝士

嘿，各位数码发烧友和吃瓜群众们，最近科技圈又搞了个大新闻！不是手机圈卷镜头，也不是电动车比续航，这一次，战场在咱们平时可能不太留意、但实则至关重要的高性能内存领域。就在日前，美光科技在公布其2025财年第四季度和全年业绩的同时，亮出了一波关于下一代HBM4内存的重要进展——好家伙，参数全部飙到飞起，场面一度十分刺激。

性能炸裂：远超行业标准，带宽高达2.8 TB/s

美光首席执行官Sanjay Mehrotra在电话会议中正式确认，美光的HBM4——12-high堆叠产品——已经向客户送样，并且性能直接冲上了行业前所未有的水准：带宽突破 2.8 TB/s，引脚传输速率达 11 Gb/s。

可能有些朋友还不太清楚这是个什么概念。这么说吧，目前JEDEC官方给的HBM4标准是啥？带宽 2 TB/s，引脚速度 8 Gb/s。而美光这一波操作，比标准高出整整40%！换句话说，还没正式开跑，美光就已经在赛场外自嗨加速了。

凭什么这么猛？归根结底一句话——客户逼的。如今像NVIDIA、AMD这样的芯片巨头，他们家的GPU算力提升速度堪比坐火箭，如果内存性能跟不上，再强的核心也只能“摸鱼”。所以美光这次不跟标准玩了，彻底搞起“超标”模式。

背后推手：NV、AMD纷纷要定制，基片也能“私人订制”

更有意思的还没完。Mehrotra还提到，针对接下来的HBM4E，美光不仅会提供标准产品，还开放了“基片定制”选项。也就是说，客户可以在基础内存堆叠的底部加一颗自己设计的专用逻辑芯片。

这说明什么？NV和AMD这下可真没少下功夫——以后你买到的可能不只是一块内存，而是“内存+轻度计算单元”的合体形态了！这种操作最大的好处就是进一步减少数据搬运延迟，效率提上去，性能拉满格。这也意味着，AI加速卡的自研程度越来越高，以后第三方标准件可能越来越难满足头部大厂的需求。

美光的底气：1γ工艺 + 自研基片 + 先进封装

美光这次敢这么“狂”，当然不是光靠喊口号。他们在制造工艺层面也堆了不少料：包括基于1γ（1-gamma）制程的DRAM芯片、自主研发的先进CMOS基片，再加上领先的封装技术。用Mehrotra的话来说，这些是他们实现“行业最高性能与最佳能效”的关键差异点。

换句话说，别人家还在琢磨怎么堆层数，美光已经从上到下、从里到外全部重新升级了一遍——这种打法确实有点“降维打击”那味儿。

行业背景：AI催生内存需求，HBM已成必争之地

说回大环境。自从ChatGPT带起这波AI浪潮，高端训练和推理芯片对内存带宽和容量的需求就一路疯涨。HBM（高带宽内存）由于具备高位宽、高吞吐的特性，已经成为AI加速卡的“标配内存”。而随着模型规模越来越大，参数动不动破万亿，没有高速内存的支持，再强的算力也发挥不出来。

目前全球HBM市场基本被三星、SK海力士和美光三家包揽，而美光这一次提前打出“性能超越版”HBM4，明显是想在接下来的竞争中抢占技术高地，争取在NV、AMD下一代加速卡中拿到更多份额。

不只是速度，更是一场生态博弈

另外值得注意的是，定制化基片的出现，可能意味着HBM的竞争不再只是“堆规格”“拼工艺”，而逐渐演变成一场涵盖软硬件协同、内存-计算一体化的深度生态博弈。厂商如果能提前介入定制，就有机会在延迟、能耗、兼容性等方面建立壁垒——这已经不只是一颗内存，而逐渐变成半定制化的解决方案了。

写到最后

美光这一波操作，无疑把HBM4的竞争强度拉高了一个量级。原先大家预计的标准性能已经够吓人，结果巨头们还要自己往上加码。明年NV、AMD的下一代加速卡，大概率就会用上这些“怪兽级”内存。

而我们也在隐隐期待，未来会不会出现更多结合内存与计算的新型架构？会不会带动整个行业走向更高效的异构计算路线？这场好戏，才刚刚拉开序幕。