铠侠计划2026年夏天出样下代BiCS10 1Tb TLC NAND闪存

数码芝华士

KIOXIA（铠侠）当地时间昨日举行了 2026 年投资者日活动。该企业宣布将在今年夏天出样 BiCS10 1Tb TLC NAND，这一闪存将用于下代支持 PCIe Gen6 的 CM 系列企业级固态硬盘中。

BiCS10 采用 332 层设计，堆叠层数低于部分竞争对手。铠侠在解释产品设计时表示，当前已无法仅通过提升堆叠改善 3D NAND 的成本结构，更高堆叠意味着工艺复杂性和制造成本的上升，此外高堆叠还不利于能效和可靠性表现。

铠侠表示，332L BiCS10 与其推测的 400L 产品相比实现了 10% 的成本降低、10% 的能效提升、35% 的可靠性优势。

在企业层面，铠侠预测 NAND 市场的整体出货容量在 2026~2028 年实现 22% 的 CAGR，其中数据中心领域的复合年均增长率达到 46%，而 AI 推理这一细分领域的增速将达到 86%；另一方面，PC、智能手机领域的需求则将持平或小幅下降。

此外，铠侠认为当前已是 NAND 市场供需失衡最为严重的时刻，未来将逐步改进，但到 2027 年底前供小于求的基本面不会改变。

在此背景下，铠侠正专注于数据中心和企业业务，目标将该细分领域对整体营收的贡献比例提升到 60% 以上，通过高附加值产品推动盈利能力的提升；而 PC、智能手机端收入规模则将保持稳定。

铠侠 2026~2028 财年的平均资本支出与研发支出都将较 2025 财年水平增长 60% 以上。该企业将快速推进制程升级，目标实现每年约 10% 的前端单位容量成本降低。

IT之家了解到，铠侠表示已就北上市生产基地的进一步扩建进行评估，目标在 2029 财年后投产。