三星展示适用于HBM5的HPB封装散热结构

数码芝华士

科技媒体 Wccftech 昨日（6 月 3 日）发布博文，报道称在 2026 台北国际电脑展上，三星展示了面向 HBM5 内存的 HPB（Heat Block Path，热阻断路径）封装散热结构。

IT之家昨日报道，三星在本次展会上展示了全球首款 HBM5 内存，最新报道则聚焦全新的 HPB 散热架构，该技术面向更高密度、更高速度的 HBM 堆栈，核心目标是降低散热压力，支撑 AI 数据中心所需的高带宽内存升级。

该媒体称三星的 HPB 散热架构在封装内部加入独立热柱。热柱可从堆叠内部带走热量，并导向封装上方或侧边的散热器。

三星把重点放在 D2D PHY（裸片到裸片物理层）区域，也就是 HBM 基底芯片与 GPU 之间的高速连接层。随着堆叠变高、速度变快，这里的温度和功耗密度快速抬升。三星称，HPB 已在 HBM4E 上完成部署和验证。

HBM4E 的首批 12 层样品已于上月出货，速率为 14Gbps，后续可扩展到 16Gbps，每堆叠带宽为 3.6TB/s。

三星还确认，HBM5 基底芯片会从 HBM4 和 HBM4E 使用的 4nm 节点，转向自家 2nm 工艺。

三星 Device Solutions 总裁兼 CTO Song Jai-hyuk 表示，AI 系统更强大且集成更密，热管理、数据处理效率和封装稳定性已与内存性能同样关键。

三星同时拥有内存业务和逻辑代工业务，因此可把 HBM5 堆叠与 2nm 基底芯片纳入自家制造体系。

SK 海力士也瞄准同一热点，但采用不同路线。其 iHBM（集成式高带宽内存）方案把电绝缘、导热硅冷却元件嵌入 D2D PHY 层，称可较现有产品降低超过 30% 热阻。三星选择建立热量外排通道，SK 海力士则把冷却元件放在热点处。