SK海力士回应“考虑由英特尔制造HBM基础裸片”：部分内容不实

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《韩国先驱报》当地时间今日报道称，SK 海力士正考虑实现先进 HBM 基础裸片 (Base Die) 的供应商多元化。

报道宣称英特尔代工 (Intel Foundry) 最早有望在 HBM4E 世代加入，结束台积电 (TSMC) 独占这部分订单的局面。

从 HBM1 到 HBM3E，与 DRAM Die 同款的存储半导体工艺即可满足 Base Die 逻辑电路的需求。而随着复杂度和 PPA 要求的提升，SK 海力士从 HBM4 开始将 Base Die 切换为逻辑半导体工艺，据悉其在 HBM4 上使用了台积电的 12nm 制程。

报道援引的消息人士表示，台积电 Base Die 报价显著高于 SK 海力士自产 DRAM Die 的成本，英特尔代工成为第二供应商将提升 SK 海力士在与台积电谈判时的议价能力。

SK 海力士回应称“难以确认有关本公司技术路线图的内容”，“部分内容与事实不符”。