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输入48V降压5V/3.3V方案测试报告 PW2153 / PW2815 / PW2312B / PW8600 实测对比 测试项：转换效率 · 热性能 · 静态功耗 · 典型应用 测试条件：Vin=48V, Vout=5V/3.3V 一、测试目的与内容概览针对六款DC-DC与LDO电源芯片，在工业及汽车电子典型工况下的性能对比与验证 01 测试对象：覆盖多品类电源管理芯片 l 异步降压DC-DC：PW2153 (8V-150V)、PW2815 (4.5V-80V)、PW2312B (5.5V-60V) l LDO线性稳压器：PW8600 (3V-80V)，提供低噪声稳压输出 02 核心测试项目：多维度性能验证 ① 芯片核心规格与电气参数的一致性对比分析 ② 典型应用电路拓扑解析与实际布线适配性评估 ③ 转换效率(η)实测：满载/轻载工况下的能效表现 ④ 热性能分析(Tj)：高温环境下的结温与散热特性测试 ⑤ 空载静态电流(IQ)测试：低功耗待机状态下的电流消耗 03 测试环境条件： 输入条件：Vin = 48V（模拟工业总线/汽车电子供电环境） 输出条件：Vout = 5.0V / 3.3V（满足主流MCU/传感器供电需求） 三、应用电路 (DC-DC Part 2)PW2312B 小型化异步降压 l 采用SOT23-6L超微型封装，极大节省PCB空间，适合穿戴设备、小型模组等体积受限场景。 l 内置功率MOSFET，外围电路极简，有效降低BOM成本与布线复杂度。 PW2458 同步降压转换器 l 集成低导通电阻MOSFET，转换效率优异，降低系统发热，提升续航表现。 l 宽电压输入范围与丰富的保护功能，性能均衡，适配各类工业与消费电子场景。 应用场景总结： PW2312B凭借极致的小型化优势，成为便携式设备、可穿戴电子产品的首选；而PW2458则以高效率、高稳定性著称，广泛应用于工业控制、智能家居、车载电子等对电源性能要求较高的领域。两款芯片分别从“空间紧凑”与“高效能”两个维度满足不同场景的电源设计需求。 四、应用电路 (LDO)LDO 核心原理与特性 线性稳压器（LDO）是电源设计中常用的稳压器件，其核心优势在于电路结构极简，仅需少量输入输出电容即可工作，且输出噪声极低。 需重点关注功耗公式：P耗 = (Vin - Vout) × Iout。在高压差场景下，能量主要以热量形式损耗，因此选型时需结合实际压差与负载电流评估效率。 PW8600：高压输入型 LDO 专为高压环境设计，支持宽电压输入范围。其应用电路极其简单，仅需配置输入输出电容即可稳定运行，极大简化了硬件设计流程。但在高输入输出压差工况下，功耗会随压差增大而显著增加，实际应用中需充分考虑散热设计。 PW75XX：低功耗型 LDO 具备极低的静态工作电流，是电池供电设备待机模式的理想选择，能有效延长设备续航时间。虽然自身功耗极低，但依然遵循LDO的功耗规律，在高压差应用场景下仍会产生一定的功率损耗，需结合实际需求进行效率评估。 六、PW2153 输出 5V/3A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW2153 拓扑：异步 Buck Vin：47.7.0V（锂电中值） Vout：4.99V Iout：3.0A 电感 L：47μH Cin：47μF × 1 Cout：680μF × 1 fsw：1MHz 七、PW2153 IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 2153(SOP8) Vin：48.0V Vout：5.0V Iout：3.0A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 八、PW2153 输出 5V/4A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW2153 拓扑：异步 Buck Vin：47.8V（锂电中值） Vout：4.97V Iout：4.0A 电感 L：47μH Cin：47μF × 1 Cout：680μF × 1 fsw：1MHz 九、PW2153 IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 2153(SOP8) Vin：48V Vout：5.0V Iout：4.0A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 十、PW2153 输出 5V/4.5A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW2153 拓扑：异步 Buck Vin：47.8V（锂电中值） Vout：4.91V Iout：4.5A 电感 L：47μH Cin：47μF × 1 Cout：680μF × 1 fsw：1MHz 十一、PW2153 IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 2153(SOP8) Vin：48.0V Vout：5.0V Iout：4.5A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 十二、PW2153 输出 12V/3A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW2153 拓扑：异步 Buck Vin：47.7V（锂电中值） Vout：12.03V Iout：3.0A 电感 L：47μH Cin：47μF × 1 Cout：680μF × 1 fsw：1MHz 十三、PW2153 IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 2153(SOP8) Vin：48.0V Vout：12.0V Iout：3.0A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 十四、PW2153 输出 12V/4A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW2153 拓扑：异步 Buck Vin：47.7V（锂电中值） Vout：12.03V Iout：4.0A 电感 L：47μH Cin：47μF × 1 Cout：680μF × 1 fsw：1MHz 十五、PW2153 IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 2153(SOP8) Vin：48.0V Vout：12.0V Iout：4.0A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 十六、PW2153 输出 12V/5A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW2153 拓扑：异步 Buck Vin：47.4V（锂电中值） Vout：12.02V Iout：5.0A 电感 L：47μH Cin：47μF × 1 Cout：680μF × 1 fsw：1MHz 十七、PW2153 IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 2153(SOP8) Vin：48.0V Vout：12.0V Iout：5.0A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 十九、PW2815 输出 3.3V/0.5A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW2815 拓扑：异步 Buck Vin：47.8V（锂电中值） Vout：3.354V Iout：0.5A 电感 L：22μH Cin：100μF × 1 Cout：22μF × 2 fsw：1MHz 二十、PW2815 IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 2815(SOP8-EP) Vin：48.0V Vout：3.3V Iout：0.5A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 二十一、PW2815 输出 3.3V/1.0A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW2815 拓扑：异步 Buck Vin：47.9V（锂电中值） Vout：3.34V Iout：1.0A 电感 L：22μH Cin：100μF × 1 Cout：22μF × 2 fsw：1MHz 二十二、PW2815 IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 2815(SOP8-EP) Vin：48.0V Vout：3.3V Iout：1.0A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 二十三、PW2815 输出 3.3V/1.2A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW2815 拓扑：异步 Buck Vin：47.8V（锂电中值） Vout：3.34V Iout：1.2A 电感 L：22μH Cin：100μF × 1 Cout：22μF × 2 fsw：1MHz 二十四、PW2815 IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 2815(SOP8-EP) Vin：48.0V Vout：3.3V Iout：1.2A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 二十五、PW2815 输出 5V/0.5A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW2815 拓扑：异步 Buck Vin：47.6V（锂电中值） Vout：5.07V Iout：0.5A 电感 L：22μH Cin：100μF × 1 Cout：22μF × 2 fsw：1MHz 二十六、PW2815 IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 2815(SOP8-EP) Vin：48.0V Vout：5.0V Iout：0.5A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 二十七、PW2815 输出 5V/1.0A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW2815 拓扑：异步 Buck Vin：47.9V（锂电中值） Vout：5.06V Iout：1.0A 电感 L：22μH Cin：100μF × 1 Cout：22μF × 2 fsw：1MHz 二十八、PW2815 IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 2815(SOP8-EP) Vin：48.0V Vout：5.0V Iout：1.0A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 二十九、PW2815 输出 5V/1.2A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW2815 拓扑：异步 Buck Vin：47.9V（锂电中值） Vout：5.05V Iout：1.2A 电感 L：22μH Cin：100μF × 1 Cout：22μF × 2 fsw：1MHz 三十、PW2815 IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 2815(SOP8-EP) Vin：48.0V Vout：5.0V Iout：1.2A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 三十二、PW2312B 输出 3.3V/0.3A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW2312B 拓扑：异步 Buck Vin：47.8V（锂电中值） Vout：3.31V Iout：0.3A 电感 L：47μH Cin：47μF × 1 Cout：22μF × 1 fsw：1MHz 三十三、PW2312B IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 2312B(SOT23-6) Vin：48.0V Vout：3.3V Iout：0.3A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 三十四、PW2312B 输出 3.3V/0.5A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW2312B 拓扑：异步 Buck Vin：47.9V（锂电中值） Vout：3.32V Iout：0.5A 电感 L：47μH Cin：47μF × 1 Cout：22μF × 1 fsw：1MHz 三十五、PW2312B IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 2312B(SOT23-6) Vin：48.0V Vout：3.3V Iout：0.5A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 三十六、PW2312B 输出 3.3V/0.6A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW2312B 拓扑：异步 Buck Vin：47.9V（锂电中值） Vout：3.31V Iout：0.6A 电感 L：47μH Cin：47μF × 1 Cout：22μF × 1 fsw：1MHz 三十七、PW2312B IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 2312B(SOT23-6) Vin：48.0V Vout：3.3V Iout：0.6A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 三十八、PW2312B 输出 5.0V/0.3A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW2312B 拓扑：异步 Buck Vin：47.9V（锂电中值） Vout：5.09V Iout：0.3A 电感 L：47μH Cin：47μF × 1 Cout：22μF × 1 fsw：1MHz 三十九、PW2312B IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 2312B(SOT23-6) Vin：48.0V Vout：5.0V Iout：0.3A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 四十、PW2312B 输出 5.0V/0.5A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW2312B 拓扑：异步 Buck Vin：48.0V（锂电中值） Vout：5.09V Iout：0.5A 电感 L：47μH Cin：47μF × 1 Cout：22μF × 1 fsw：1MHz 四十一、PW2312B IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 2312B(SOT23-6) Vin：48.0V Vout：5.0V Iout：0.5A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 四十二、PW2312B 输出 5.0V/0.6A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW2312B 拓扑：异步 Buck Vin：48.0V（锂电中值） Vout：5.09V Iout：0.6A 电感 L：47μH Cin：47μF × 1 Cout：22μF × 1 fsw：1MHz 四十三、PW2312B IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 2312B(SOT23-6) Vin：48.0V Vout：5.0V Iout：0.6A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 四十五、PW8600 输出 3.3V/0.007A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW8600 拓扑 LDO(线性稳压器) Vin：47.9V（锂电中值） Vout：3.26V Iout：0.007A 电感 L： Cin：1μF × 1 Cout：10μF × 1 fsw：1MHz 四十六、PW8600 IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 8600(SOT23-3L/SOT9-3L) Vin：48.0V Vout：3.3V Iout：0.007A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 四十五、PW8600 输出 3.3V/0.01A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW8600 拓扑 LDO(线性稳压器) Vin：47.8V（锂电中值） Vout：3.24V Iout：0.01A 电感 L： Cin：1μF × 1 Cout：10μF × 1 fsw：1MHz 四十六、PW8600 IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 8600(SOT23-3L/SOT9-3L) Vin：48.0V Vout：3.3V Iout：0.01A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 四十七、PW8600 输出 5V/0.007A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW8600 拓扑 LDO(线性稳压器) Vin：48.0V（锂电中值） Vout：4.97V Iout：0.007A 电感 L： Cin：1μF × 1 Cout：10μF × 1 fsw：1MHz 四十八、PW8600 IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 8600(SOT23-3L/SOT9-3L) Vin：48.0V Vout：5.0V Iout：0.007A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 四十七、PW8600 输出 5V/0.01A 测试 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW8600 拓扑 LDO(线性稳压器) Vin：47.8V（锂电中值） Vout：4.95V Iout：0.01A 电感 L： Cin：1μF × 1 Cout：10μF × 1 fsw：1MHz 四十八、PW8600 IC 温度热成像 @ Vin = 48V测试条件 芯片：PW 8600(SOT23-3L/SOT9-3L) Vin：48.0V Vout：5.0V Iout：0.01A 环境温度：25℃ 运行时间：2 min 四十九、空载静态电流测试 (IQ)测试条件：常温环境，芯片空载待机（无负载），EN使能置高，测量静态电流与功耗 DC-DC 突破：兼顾效率与待机功耗 PW2312B 静态功耗最优。DC-DC 架构具备高转换效率优势，同时持续优化轻载待机功耗，适合需要兼顾供电效率与待机续航的移动设备，实现稳压性能与待机功耗的平衡。 LDO 优势：极致微功耗的待机王者 LDO在静态功耗上具有绝对统治力，微安级的待机电流几乎不会消耗电池能量，是IoT传感器、智能手环等极低功耗场景的最佳选择。虽然其转换效率略低于DC-DC，但在待机或轻载状态下，能量损耗可忽略不计，为设备提供长效续航保障。
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