韩国行业协会数据曝光：中国存储芯片距世界一流仅差1-3年

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嗨，各位平时喜欢研究芯片产业动向的网友，今天有一条从韩国那边传来的消息，值得咱们坐下来认认真真聊一聊。就在昨天，海外知名科技媒体Wccftech发布了一篇报道，这篇报道的核心内容是引用了韩国半导体行业协会刚刚完成的一份评估报告。这份报告给出的结论相当直白，也足够让人吃惊：中国在存储芯片领域的技术追赶速度，已经远远超出了外界此前普遍的预期和想象。具体来说，长江存储和长鑫存储这两家国内龙头企业，跟韩国、美国这些传统存储芯片强国之间的技术代差，已经从几年前大约五年的水平，大幅缩短到了NAND闪存只差一年、DRAM内存差两年、HBM高带宽存储器差三年的程度。韩国《中央日报》在报道中直接引用了该协会的原话，原话是这么说的：“韩国与中国在存储芯片上的技术差距，HBM已缩至三年，DRAM缩至两年，NAND闪存缩至一年。”这个结论之所以让整个行业都感到震动，是因为就在不久之前，这个差距还一直挂在五年左右那条线上来回晃荡，如今一下子砍掉了将近一半甚至更多，足以说明中国芯片产业这几年在技术突破上下了多大的功夫，投入了多少资源和人力。



具体到各项指标的细节，更能体会到这种追赶的力度和紧迫感。先说NAND闪存这块，三星和SK海力士是在去年开始量产300层堆叠的NAND闪存的，那个时候长江存储的产品还停留在270层。按照常规的追赶节奏，差了30层怎么也得追个两三年吧？但根据目前的规划，到了明年，长江存储将直接跳到400层NAND的量产阶段。这样一来，长江存储跟三星、SK海力士之间的技术代差就被压缩到了仅仅一年左右。再说DRAM这边，三星和SK海力士早在2023年就开始量产DDR5内存颗粒了，而长鑫存储直到去年2025年才启动DDR5模组的量产，算下来大概有两年的时间差。不过有意思的是，长鑫存储现在已经在大规模生产LPDDR5X低功耗内存了，并且就在最近刚刚启动了LPDDR6的生产。这说明长鑫存储虽然在桌面级DDR5上起步稍晚了一些，但在移动端低功耗内存这个细分赛道上，跟进速度非常快，几乎是紧咬着国际巨头的节奏在跑。到了HBM领域，长鑫存储目前的技术差距大约为三年。长鑫存储才刚刚开始试产HBM3E模组，但良品率只有大约25%，也就是说每生产四颗芯片只有一颗是合格的，其余三颗都得报废。问题主要卡在硅通孔技术这个环节上，也就是在芯片内部打通垂直方向的电路通道，用来连接上下堆叠的多层DRAM芯片，这道工艺的难度极高，稍微有一点偏差就会导致整颗芯片失效。

不过长鑫存储并不是孤立无援地在作战，他们正在借助兄弟企业长江存储的X-Stacking三维NAND内存解决方案，在自己代号为G4的制程上来构建HBM3E堆叠结构。这套方案的精髓在于，它不完全依赖传统的微凸块来连接堆叠的DRAM晶片，而是采用了长江存储的铜对铜混合键合技术，简单说就是把上下两层晶圆之间的铜线路直接融合在一起，从而大大缩短了堆叠DRAM层之间的电路通路。

最关键的一点是，这种架构让长鑫存储和长江存储能够在完全不依赖极紫外光刻机的情况下，制造出具有竞争力的HBM产品，这对于受出口管制限制、难以获得高端光刻机的中国企业来说，意义非同小可。此外，长鑫存储今年还将陆续接收到来自上海艾盛纳和宇量昇两家国内厂商生产的深紫外光刻机，不过这两家光刻机制造商目前仍在投影物镜和光源系统这些核心部件上面临一些瓶颈，还需要继续攻关。在产能扩张方面，长鑫存储的动作相当激进。到今年年底，长鑫存储将通过三座12英寸DRAM晶圆厂——每座月产能大约10万片——把总的月产能拉升到30万片。同时，他们还专门规划了一条面向HBM的产线，预计到今年年底也能达到月产5万片的规模。

不仅如此，长鑫存储目前还在上海和合肥各建设一座新的晶圆厂，等到这两座工厂全部投产后，总月产能将进一步飙升到60万片。按照这个势头发展下去，到2030年左右，长鑫存储在产量上有望超越美国存储芯片巨头美光科技。为了克服制程微缩带来的物理极限问题，长鑫存储现在已经开始采用高介电常数金属栅极技术，也就是业内常说的HKMG技术。这项技术用氧化铪这类高介电常数的材料，取代了传统晶体管中的多晶硅栅极和二氧化硅绝缘层，能够有效遏制电流泄漏、减少不必要的热量损耗，同时提升能效并让晶体管开关速度变得更快。

目前长鑫存储已经把这项技术应用到了被外界普遍认为是1z节点的G4 DRAM制程上，同时也用在了LPDDR5X产品中，由此不难推断，长鑫存储很可能马上就要向更先进的1a节点迈进。更何况，他们已经在着手研发下一代15纳米级别的G5 DRAM制程，这进一步印证了这个判断。再看长江存储这边，其产能规划同样令人瞩目。预计到2027年初，长江存储的月产能将达到30万片，其中一部分产能会用来生产LPDDR低功耗内存。等到长江存储在2027年新建的两座工厂上线之后，到2028年，其总月产能将进一步扩大到45万到50万片。作为对比，三星到2027年底的NAND月产能也只有35万片。也就是说，不出意外的话，长江存储的产能规模将在几年内实现对三星的反超。从韩国行业协会这份报告传递出的信号来看，中国存储芯片产业已经从一个默默追赶的角色，变成了一个让全球竞争对手都不得不正视的重要力量，未来几年这个领域的竞争格局注定会更加激烈，也更加值得期待。对于那些一直关注国产芯片进展的人来说，这样的消息无疑是一剂强心针，说明多年的投入和坚持正在一步步兑现为实实在在的成果。接下来的几年，无论是技术迭代还是产能扩张，中国存储芯片企业都将持续给国际市场带来冲击，这场竞赛远未结束，好戏还在后头。

kof宋小宝

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