近些年Nand闪存制程参考简化

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世代层级	三星 (V-NAND / 平面)	层数	铠侠 (Kioxia/Toshiba) BiCS	层数	美光 (实际 Die 代号)	层数	单元架构	年份	代表备注
末代 2D 平面	14-15nm 平面 NAND	2D	15nm/16nm 2D平面	2D	15/16nm 平面 (Mxx 系列)	2D	浮栅 FG	2012-2014	老 eMMC、U 盘、低速 TF，TLC≈1000-1500P/E，全部弱于任何 3D TLC颗粒。
初代 3D	V1	24L	BiCS1	32L	L06B	32L	浮栅 FG	2013/2015	L06B=32 层 MLC，初代 3D
早期 3D	V2/V3	32/48L	BiCS2	48L	(无主流对应)	-	三星 CTF / 铠侠 FG	2014/2015
64 层	V4	64L	BiCS3	64L	B16A	64L	三星 CTF / 铠侠 FG / 美光 FG 双栈	2016/2017	TLC 3000P/E 级
96 层	V5	96L	BiCS4	96L	B27A/B27B	96L	三星 CTF / 其余 FG	2018
128层	V6	128L	BiCS5	112L	B37R	128L	三星 CTF / 铠侠 FG / 美光转 CTF	2019/2020	BiCS5 = 最后一代纯浮栅；B37R 市面少见过渡代
16X-176 层	V7	176L	BiCS6	162L	B47R (TLC) / B47T (TLC)	176L	三星 CTF / 铠侠 CUA / 美光 RG-CTF+CuA	2020/2021	铠侠切双 Deck 堆叠
212-236 层	V8	236L	BiCS7	212L	B58R	232L	CTF/CUA/CuA	2022	B58R
218-236 层	V9	236L	BiCS8	218L	B68R	276L	三星双栈 CTF / 铠侠CBA 键合 / 美光 CuA RG-CTF	2023	BiCS8 开始晶圆键合

最新的3D MLC仅有美光第一代L06B，本质上TLC晶圆，在PE次数寿命上不及现在的任何3D TLC。
3D SLC没有查到，只有一些老主控支持2D SLC，仅支持BCH，不支持LDPC。

ljq750402618

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