做个电解电容耐压测试/稳压二极管测试仪（N76E003开源）

2545889167 · 发表于 2019-9-23 21:33:00

本帖最后由 2545889167 于 2019-9-26 12:53 编辑

搞了个速成项目，画板几小时，焊接一小时，程序2-3小时就搞好的，发帖十几分钟？其实很简单的一个东西，就是34063升压再加个n76e003做的电压表。虽然简单速成但是平时还是有点用的。

原理图

画好的板子

因为都是些直插元件其实蛮大的板子

3D预览效果

背面

之前的老版本是这样的做工很粗糙
34063部分用手工记号笔复试，剩下的直插元件配洞洞板

对比空板

背面

话说这个100uH的电感还不错里面双绕铜线还挺厚实的不记得哪里拆的了

完全焊好正面数码管封装用的0.4寸结果手上只有0.35寸的，反正能装进去，脚间距一样就是别的小了一圈无所谓了

背面用95的酒精随便刷了刷

程序部分没啥好说的，就是个电压表程序
空载电压120V

串联限流电阻阻值是75K

测一个16V1000uf的电容

电压稳定后读数22V

测一个50V的4.7uF

这个接上就电压稳定了读数80.3V

测另外一个25V 10uF的读数34.2V

其他的相关说明：

1、电压显示小数点自动切换大于100V显示xxx 10-100V显示xx.x 小于10V显示x.xx （内部精度可以到10mV）

2、用的单片机是N76E003，那么高的测量电压用12位的ADC还是稍微有点意义的。
3、按键的作用。短按切换显示输入电压和输出电压。长按实现数据HOLD，再次长按解锁 HOLD的时候最后一个数码管点亮

4、输入电源电压12-20V
5、电容耐压测量原理，用大电阻限流，相当于小电流软击穿电解电容，不会损坏电容
6、模块化编程，各个部分独立驱动，解构层次鲜明，main函数简单。拒绝记事本C大师，拒绝拼音变量大师，拒绝一main.c到底大师，拒绝main函数又臭又长

7、较准方法，在sys.h文件进行调整参数注意说明不要超限不然会溢出

8、完全开源

约法三章请自觉遵守CC-BY-NC-SA 3.0协议
可以自由复制、散布、展示及演出本作品
保留其原作者姓名标示（至少需要附本贴链接）；
您不得为商业目的而使用本作品（严禁用于商业目的）；
若您改变、转变或改作本作品，仅在遵守与本著作相同的授权条款下，您才能散布由本作品产生的衍生作品（改动后需同协议开源）。
(显示文件损坏很奇怪)

想使用N76E003确苦于没编程器？（N76E003芯片不支持空白片串口烧录，官方下载器几十块一个）
请移步这个帖子：（没错只要2-3元就可以拥有一个高颜值超小巧使用贼方便下载超快的编程器）
https://www.mydigit.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=7356

shi988 · 发表于 2019-9-23 21:37:54

NB到一愣一愣的，哎！吃灰的MCU一堆一堆的不能像大佬那么高产啊！！！！！1

ljlun · 发表于 2019-9-23 21:38:57

还真是颜值大爆发，恭喜MCU大婶再次出新品
等牙膏ing

jcdzxh · 发表于 2019-9-23 21:41:27

跟着数码网红混个脸熟。
话说，120v电压表精度如何？

小骚货 · 发表于 2019-9-23 21:43:12

道理我都懂但是我量不多还是用可调电源测比较方便

2545889167 · 发表于 2019-9-23 21:47:30

jcdzxh 发表于 2019-9-23 21:41
跟着数码网红混个脸熟。
话说，120v电压表精度如何？

感觉10mv级别问题不大？反正100mv位和万用表是一字不差

jcdzxh · 发表于 2019-9-23 21:50:45

120v分辨0.1V，已经过10位了，牛皮糖还是可以嘛！

la45088d1 · 发表于 2019-9-23 22:09:45

这么小的功率，加上MCU那么闲，直接几个IO并联输出PWM驱动Boost电路就成了，反馈输入到ADC，PID稳定输出，还可以省一个MC34063.:titter:

无语·回忆 · 发表于 2019-9-23 22:13:25

大佬又出新作了，前排支持下，我一直就想做这么个玩意，但是还没开工:lol:

2545889167 · 发表于 2019-9-23 22:26:57

la45088d1 发表于 2019-9-23 22:09
这么小的功率，加上MCU那么闲，直接几个IO并联输出PWM驱动Boost电路就成了，反馈输入到ADC，PID稳定输出， ...

也是个思路 MCU确实闲得发慌，1MHz运行还2ms才唤醒一次就足够足够了
不过我现在这样偷懒大法也还行，多不了几毛钱开发快，速成。
要是调mcu控制的boost 还是有得一整子折腾

qrut · 发表于 2019-9-23 22:46:01

这个电路应对高电压大容量电解可能需要漫长的充电时间，建议增加快速充电电路，限流电阻并联1颗mos，mcu根据电容电压上升斜率控制占空比达到快速充电缩短测试时间目的，每周期mos关断时刻测量电容电压不升反降证明已经软击穿，此时停止pwm加速，依靠限流电阻使电压不在下降时即为最高耐压～

触景情伤 · 发表于 2019-9-23 22:46:16

还是喜欢32大佬日单片机的帖子…
刚开始看到题目我还以为是内阻呢…
n76e003的片子撸了好久了也没有时间玩…

温力口 · 发表于 2019-9-23 22:52:14

qrut 发表于 2019-9-23 22:46
这个电路应对高电压大容量电解可能需要漫长的充电时间，建议增加快速充电电路，限流电阻并联1颗mos，mcu根 ...

专家说的非常正确！

ynymwtb · 发表于 2019-9-23 23:05:39

老大好久没出单片机贴子了

hui223 · 发表于 2019-9-23 23:17:09

數碼管用四位的多好呀
限流電阻用多個阻值能自動切換自動測量器件擊穿電流保護就完美了

补充内容 (2019-10-3 10:56):
可以用低端電阻切換，切換前關閉高壓輸出，切換完成後開啓高壓輸出進行測量，或者直接用MOS模擬電阻。

aacyxjz · 发表于 2019-9-24 08:32:25

优秀文章，满分支持

轻烟 · 发表于 2019-9-24 08:40:44

1mA多的电流测电容是不是太大了点

fair2017 · 发表于 2019-9-24 11:56:47

大神呀，完成项目的效率高。

2545889167 · 发表于 2019-9-24 18:51:54

fair2017 发表于 2019-9-24 11:56
大神呀，完成项目的效率高。

弃坑的项目一大堆只是没发出来罢了

qrut · 发表于 2019-9-24 19:29:48

qrut 发表于 2019-9-23 22:46
这个电路应对高电压大容量电解可能需要漫长的充电时间，建议增加快速充电电路，限流电阻并联1颗mos，mcu根 ...

不会的，一上来先不要开启pwm，只电阻充电，例如监测1s看电容电压上升情况，如果电压上升较高则证明被测容量不大采样较低占空比，反之采用较高占空比，大容量电容对过压时漏电流有较强的承受能力，如果想搞爆一颗电解需要很大电流且较长时间，一个周期的短时较大电流脉冲对电解可以说是毫发无损，另外可以再加入放电电路更完善～