三星预测 1000 层以上的 NAND 将于 2030 年上市

数码芝华士

根据韩媒 The Elec 报道，三星存储业务高管近日参加了电子工程师协会 2023 年夏季会议，表示 2030 年 V-NAND 可以叠加到 1000 多层。

                               
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三星预测 V-NAND 的竞争将持续到 1000 层以上。三星于 2013 年推出 24 层开始，在过去 10 年间，已经发展到 200 多层。

IT之家注：三星最初推出的 V-NAND 每个 die 容量都有 128Gb（16GB），通过 3D 堆叠技术可以实现最多 24 层 die 堆叠，这意味着 24 层堆叠的总容量将达到 384GB。

                               
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图源：The Elec

三星高管表示正因为 V-NAND 的存在，延续了 NAND 的历史，是韩国国家创造技术和生态系统的少数成功事例。

三星高管表示为了推动 1000 层的 NAND 技术，就像建设摩天大楼一样，需要考虑坍塌、弯曲、断裂等诸多稳定性问题，此外还需要克服连接孔加工工艺、最小化电池干扰、缩短层高以及扩大每层存储容量等挑战。