流言终结者之;NVME的CE通道数和缓外速度

争锋麦芒

评测硬盘；2262EN DDR3 1G 4通道16CE 英特尔B17                2262EN DDR3 1G 8通道16CE 英特尔B17
直接下结论；
  1，读取速度通道数量越多越好，8通道相当于PCI-E3.0X4 ,
                                                 4通道相当于PCI-E2.0X4
  2，缓外速度是和CE数量有关的，和通道数量完全没有关系，写入速度尽量堆CE   
  3，2262EN的固件新版本和老版本完全没有速度上的区别，毫无改进

  4，2262EN的主控如果加了大号的散热片和没有散热片，完全是两个主控，固件默认温度阈值80度，加了散热片缓外稳定的很
总结；MLC时代受限于懦弱的主控性能，严重拖后了颗粒的速度，通道数,CE数和接口还是对缓外有一定影响的，NVME时代，已经不存在主控对于缓 外性能的不足了，NVME时代唯一要注意的是主控的温度，控制好温度就等于控制好一切
     备注；SLC的缓存机制不在讨论讨论范围之内，那玩意只要接口速度足够，PCI-E8888.0都能跑满，无讨论意义

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perter 发表于 2022-2-5 00:32
这个严格来说你应该说是2262EN的CE通道和缓外速度，因为变量太多了，首先，2262en的固件策略决定了这玩意纯 ...

明天改一下标题，现有的能开卡的固件，hy，bics，samsung颗粒来看，三星的最慢，现代颗粒是最快的，主要是我没有更多的颗粒8通道和4通道做对比，只有同样的b17颗粒，其他的颗粒有偏差，估计也相差不大

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perter 发表于 2022-2-5 02:44
哈哈哈，你的回复有牵扯到一个很有趣的课题，有兴趣可以探究，三星速度的快慢除了迭代关系（未必v4就比v3 ...

这倒是没有具体研究，反正我的心态您也是懂的，大差不差就行，平时使用真的也用不出来，63xt都够用，就是不喜欢那些整天秒天秒地乱抬杠的人，人家做出产品这不好那不好的，这颗粒牛x那颗粒垃圾的，

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wjbzjl 发表于 2022-2-4 22:27
钦佩大佬的这种求知求真的精神，点赞

谢谢支持，明天还要一个帖子，