1M x 16位同步DRAM(SDRAM)
EM636165TS-6GSDRAM是高速CMOS包含16 Mbits的同步DRAM。在内部配置为双512K字x 16 DRAM,带有一个同步接口(所有信号都注册在时钟信号的上升沿CLK)。每一个512K x 16位存储区被组织为2048行256列乘16位。读取和写入对SDRAM是面向突发的;访问始于选择位置并继续进行编程编程顺序中的位置数。访问从BankActivate的注册开始然后是读取或写入命令命令。EM636165TS-6G提供可编程读或写突发长度为1、2、4、8或整页,带有突发终止选项。自动预充电可以启用功能以提供自定时行突发结束时启动的预充电序列。自动或自动刷新功能刷新易于使用。通过可编程模式寄存器,系统可以选择最多适当的模式以使其性能最大化。这些设备非常适合需要的应用高内存带宽,特别适合到高性能PC应用