日韩贸易战将引起NAND与DRAM双涨效应

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近日，日本针对韩国氟聚酰亚胺、光刻胶等三种原材料实施管制，重点针对韩国的半导体、面板等电子产业。这对韩国半导体产业产生了巨大影响，目前已缩减NAND Flash投片，减产幅度逾二成。

               

内存业者分析，三星全球NAND市占逾三成，此次缩减逾二成产出，等于全球将减少逾6%至8%供应量，加上东芝NAND工厂上月受强震影响产能估达3%，合计本月起，全球NAND产出将减少近一成，且美光也宣布本季减产五成NAND芯片，预料在库存快速消化及未来供给大幅缩减下，NAND芯片恐出现缺货，价格也将结束长达二年多的跌势。

内存业者透露，三星先前在东芝工厂因强震停工后，已调涨NAND售价约一成，此次三星大幅减产，将造成强大的NAND抢货潮，带动价格进一步强弹。若日韩贸易谈判再僵持，下季DRAM合约价也将止跌反弹，出现NAND与DRAM两大内存“双涨”效应。

内存通路商透露，三星内部的因应计划是将既有的光阻剂和氟化氢等耗材库存，优先支应还有不错获利的DRAM产品，并缩减接近成本边缘的NAND芯片生产，减产幅度达二到三成，顺势消化NAND库存并使报价提升。

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