SK海力士238层4D NAND闪存 较176层NAND闪存生产效率提高34%

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早些时候SK海力士全球首发了238层512GB TLC 4D NAND闪存，并将于明年上半年投产。今天SK海力士针对这款闪存进行了详细的介绍。

据官方介绍：SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。

新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比 176 层 NAND 闪存其生产效率也提高了 34%。

此外，238 层 NAND 闪存的数据传输速度为 2.4Gbps，相比前一代产品提高了 50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了 21%。

SK 海力士计划先为 cSSD 供应 238 层 NAND 闪存，随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器 SSD 等。SK 海力士还将于明年发布 1TB 密度的全新 238 层 NAND 闪存产品。