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那下降的到底有多严重,从行业报告来看,SLC闪存在5xnm工艺下寿命有11000次P/E,在3X、2X、1Xnm工艺下会下降到10000、7500、5000次,总体还是耐看的。
MLC闪存在1xnm下寿命会减少到1500次,TLC则会极速下滑到500次,QLC再次下降一个量级到70次,PLC闪存则是直接降至35次,理论上就是35次全盘写入就不行了。
从这些数据来看,QLC闪存及未来的PLC闪存显然不够看,不过也别担心,上面的数据是2D NAND工艺下的,3D NAND闪存对工艺要求不高,P/E寿命还是可以看的。
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