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本帖最后由 技术宅小唐 于 2019-7-19 11:32 编辑
最近在SSD板块有一位坛友提出了疑问：关于往ssd板子上贴闪存的顺序关于往ssd板子上贴闪存的顺序https://www.mydigit.cn/forum.php?mod=viewthread&tid=56945
(出处: 数码之家)
为了验证SSD的4CH 2CE\2CH 4CE的速度差别，为大家解疑，顺便打破 CH越多，速度越快 的谬论（非单通道的情况下）
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为了保证测试的严谨性，
我会使用同样的PCB，同样的DDR缓存，同型号的NAND Flash颗粒，
同一个版本的慧荣的公版量产固件和相同的量产设定、
用同一台电脑 的南桥直出SATA3 6Gbps接口，和同一根SATA 15PIN供电线，
还有同一个版本的跑分工具
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使用的SSD：慧荣2246EN 8贴公版PCB， 128MB缓存
使用的闪存：intel 29F64B08NCNF2，64GB 4CE 双IO
选用这个L95B的颗粒的原因：测试颗粒是L95B 4CE 双IO，这个料号颗粒 单颗读280写70左右（2246EN或IS903都可以验证速度），算是速度比较慢的颗粒，因为单颗跑不满SATA 6Gbps的带宽，比较好的证明单片和两片的区别
如果用东芝0DDL一类颗粒，不论2CH 4CH，只要8个CE直接就跑满2246EN的带宽，那么就没办法体现双通道和四通道的区别了
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因为没有对应的两个成品，所以要搬板：
左边的还要拆掉F9 、右边的是已经焊好的成品，
焊接过程略
慧荣2246EN Q0824版工具
这是4通道，每个通道2CE
这是2通道，每个通道4CE
开卡参数设定，为方便区分，我只修改了SSD名字
...............
开卡过程略，话不多说，看结果
...............
两个空盘，注意都是 GPT分区
除了名字不一样外，其它都一样，分别是4CH 2CE 和2CH 4CE
跑分基本都跑到了500读160写，如果是双通道，那么在2246EN上面的结果应该为读280写70、贴F1 F2实际是读500写160，也就是说这两片颗粒 都处在 双通道的工作模式下同时进行读写，所以速度是两片叠加的速度、那就跟4CH 2CE的一样都是两片同时读写，那就没有区别了，速度都是差不多的、读取和写入都没有出现翻倍的情况，得分差距小于50、基本可以说没什么差别、
多跑几次分，分数会更平均一些、
如果硬要说有差别，那就有差别吧
END
题外话：其实四通道八通道只是主控商的一种广告噱头，没有说4通道就一定比双通道快的说法，通道多只代表能支持更多的CE，也就能做更大的容量、
AS2258（TH9530）这个是2-CH的主控，但是这个主控配合TLC和固件，却能跑出1000+分
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雷达卡
发表于 2019-7-19 00:24:36
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千斤顶
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