绝地反击！三星2纳米良率大幅提升，势与台积电一战

刘绪刚 · 发表于 5 天前

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随着半导体制程竞赛迈入 2 纳米时代，三星与台积电的技术角力再度升级。最新消息显示，两家巨头的 2 纳米良率差距已缩小至 20% 以内，一场围绕先进制程的订单争夺战正悄然拉开帷幕。
三星 2 纳米进展：良率目标 50%，剑指 Exynos 2600 量产
据韩国媒体报道，三星 2 纳米制程已进入关键节点 —— 为 Galaxy S26 系列定制的 Exynos 2600 芯片已启动原型量产，目标是在不牺牲性能的前提下将良率提升至 50% 以上。若达成这一目标，三星计划于 2026 年初开启全面量产。
值得注意的是，三星 2 纳米工艺的良率提升颇具挑战性。今年初的初始测试量产中，其良率仅约 30%，目前的良率已达到40%，而此次 50% 的目标若实现，将较初期提升 20 个百分点。这一进展被视为三星 Foundry 的重要里程碑，尤其是对比其 3 纳米工艺 —— 即便量产三年，良率仍徘徊在 50% 左右。作为三星 2 纳米技术的 “试金石”，Exynos 2600 的性能与良率将直接影响业界对其下一代制程的信心。若能成功量产，三星有望凭借 Exynos 芯片重新与高通骁龙形成竞争，进一步控制成本。
此外，三星正积极拓展 2 纳米订单版图。据《朝鲜经济》报道，其已与 NVIDIA、高通进入 2 纳米性能测试的最后阶段，目标成为两家巨头的二级供应商。其中，高通的 Snapdragon 8 Gen 4 “Elite 2” 芯片可能采用三星 2 纳米制程，预计 2026 年下半年在 Galaxy 手机中亮相。

台积电 2 纳米领跑：良率突破 60%，客户阵容豪华
相比之下，台积电在 2 纳米赛道已展现领先优势。据韩国《前锋报》消息，台积电 2 纳米制程良率已突破 60%，跨越稳定量产门槛，较三星当前 40% 左右的良率（传闻）形成约 20% 的差距。其 2 纳米工艺首次采用环绕式闸极（GAA）架构，相较 3 纳米制程，效能提升 10%-15%，能耗降低 25%-30%，晶体管密度提高 15%。
台积电的 2 纳米客户名单堪称豪华，延续了 3 纳米时期的核心合作方，包括苹果、NVIDIA、AMD、高通、联发科等。其中，联发科执行长蔡力行已透露，其 2 纳米芯片将于今年 9 月设计定案。产能布局方面，台积电计划 2025 年下半年在新竹宝山和高雄厂启动 2 纳米生产，率先抢占先进制程市场份额。
竞争焦点：良率差距缩小，订单争夺白热化
尽管台积电当前良率领先，但三星正通过技术迭代缩小差距。三星寄望于 3 纳米 GAA 架构的经验积累，加速 2 纳米良率提升，并挖角台积电前高管韩美玲（Margaret Han）执掌晶圆代工部门，试图复制台积电的管理经验。而台积电则凭借成熟的良率和客户信任度，巩固其龙头地位。
业内分析指出，2 纳米制程的竞争不仅关乎技术实力，更直接影响半导体产业链的话语权。三星若能将良率稳定在 50% 以上，有望以成本优势吸引 NVIDIA、高通等客户作为备选供应商，而台积电则凭借更高良率和产能保障，继续占据主流订单。随着两家巨头在 2025 年下半年陆续投产 2 纳米，一场围绕高性能芯片的 “代工大战” 已一触即发。
从 3 纳米到 2 纳米，半导体制程的每一步突破都伴随着良率的艰难爬坡。如今，三星与台积电的良率差距已压缩至 20% 以内，这场技术与商业的双重较量，或将重新定义全球芯片代工市场的格局。