SM2246全盘写入后清空算2次写入？

animefans_xj · 发表于 2020-9-26 19:02:03

爱科技、爱创意、爱折腾、爱极致，我们都是技术控

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？立即注册

x

用H2testw测试一块之前写入过1G数据的SM2246EN的盘，全盘写入238G后SMART显示NAND写入量243G，删除盘里的数据后做TRIM，结果磁盘的NAND写入量立即快速增加了238G。

难道不是全盘写入一次后全盘清空只算一次写入的吗？

zanezhang · 发表于 2020-9-26 19:40:38

编程一次加擦除一次，算两次，所以叫P/E(Program/erase)。是不是这样理解，大佬们出来科普一下。

edit009 · 发表于 2020-9-26 21:05:14

删除不加，做TRIM硬盘会来回移动数据增加写入。一般用了几年的才可能有需要做TRIM。

edit009 · 发表于 2020-9-26 21:09:43

还有就是比如当时你写入是200G，过一段时间你再去看有可能写入会变成300G。现在很多SSD都是模拟SLC写入一个缓冲区，过一段时间会释放出来会增加写入量。

sattr1 · 发表于 2020-9-26 22:21:24

A你怎么有动图视频:redheart:

技术宅小唐 · 发表于 2020-9-26 22:52:09

本帖最后由技术宅小唐于 2020-9-26 23:02 编辑

写入编程算一次，TRIM相当于把之前写了数据但被删除标记E5H的块重新填0XFF或者0X00，也就是相当于又写了一遍，所以写入又增加了238G正常啊，头一次用46EN么、
另外科普一下 NAND Flash 的工作方式，写入字节前要擦除才能写入，擦除以Block为最小单位，但是填充的数据不满一个Block时，其余空白的地方会填FF/00、
如果当前这个block内存在有效的数据，则主控会先读取出来，找到一个没有有效数据的block然后擦除，然后把读取的数据写入这个block，再把已经读取完的block擦除填FF/00...
实际闪存的编程/写入过程是一个很复杂的步骤，还有交错以及ECC编解码等等过程，这里也就简单说一下，也就是俗称主控读写算法、

animefans_xj · 发表于 2020-9-27 09:17:50

技术宅小唐发表于 2020-9-26 22:52
写入编程算一次，TRIM相当于把之前写了数据但被删除标记E5H的块重新填0XFF或者0X00，也就是相当于又写了一 ...

一直当写入+擦除算1次

dongfangw · 发表于 2023-2-3 07:52:09

这是2246en主控的一个作假猫腻,,只有这个主控trim也计入一次写入,,别的主控都是写入删除才算一次写入。所以说用的时间久了2246en放大倍数都要超过2,,所以说2246en在擦写寿命上数据作假。你看到的寿命3000次，实际上只有1500次。

dongfangw · 发表于 2023-2-3 07:53:19

dongfangw 发表于 2023-2-3 07:52
这是2246en主控的一个作假猫腻,,只有这个主控trim也计入一次写入,,别的主控都是写入删除才算一次写入。所以 ...

比如2258 XT删除文件后无论是自动还是手动trim都不会出现这种情况。

dongfangw · 发表于 2023-2-3 07:57:16

2246en主控删除文件后做trim实际上只是做了个标记,,真正的文件并没有删除。因为还可以数据恢复。真实的原因就是这个主控作假虚标擦写寿命一倍。具体的表现就是让你误以为放大倍数超过2。

dongfangw · 发表于 2023-2-3 08:10:41

不是所有的2246en固态都是这样。有极小部分trim以后并不计入写入。应该里边有一个特殊的设置会导致不同的结果

账号		自动登录	找回密码
密码			立即注册

[SMI] SM2246全盘写入后清空算2次写入？

爱科技、爱创意、爱折腾、爱极致，我们都是技术控

相关帖子

浏览过的版块