首款中芯国际“FinFET N＋1”工艺芯片流片成功

zidian

10月11日消息，据珠海特区报近日报道称，中国领先的一站式IP和定制芯片领军企业——芯动科技发布消息称，该公司已完成全球首个基于中芯国际FinFET N＋1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过，为国产半导体生态链再立新功。据中芯国际联席CEO梁孟松博此前公布的信息显示，的N＋1工艺和现有的14nm工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。从逻辑面积缩小的数据来看，与7nm工艺相近。梁孟松也表示，N＋1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似，但性能要低一些（业界标准是提升35%），所以中芯国际的N＋1工艺主要面向低功耗应用的。而在N＋1之后，中芯国际还会有N＋2，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于性能及成本，N＋2显然是面向高性能的，成本也会增加。