DRAM flash迎来新变革？看看美光怎么说

刘绪刚

    美光作为全球前五的DRAM和NAND Flash芯片供应商，在最新的2019年Q2财季中，美光DRAM业务大约占整体营收的64%，NAND Flash营收大约占了30%。

    5月23日，在美光投资者大会上，美光展示了其对NAND Flash和DRAM产业的看法，以及美光下一代技术的发展以及规划。美光认为，DRAM产业面临三大挑战：第一，Wafer Gb当量显著增长的挑战；第二，技术转换节点所出现的成本与最终的收益挑战；第三，资本支出的强度持续增加。

    在DRAM方面，美光将持续推进1Znm DRAM技术，将基于该先进技术推出16Gb LPDDR4。在1Znm技术之后，向下发展还有1α、1β、1γ，在从1Znm到1γ技术的过程中，美光将持续评估EUV工艺DRAM的成本效益，在合适的时候用上EUV。

    在NAND方面，美光3D技术已经历了三代，目前是第三代96层3D NAND，下一代将向128层3D NAND发展，是64+64层的结构。为了使NAND Flash在性能、容量、尺寸等方面持续发挥其优势，美光在128层3D NAND技术将从Floating Gate浮栅向栅极技术(Replacement Gate)过渡，并继续使用阵列下的CMOS架构。

    美光表示，NAND Flash技术从2D向3D发展，驱动Wafer GB量大幅度增加，64层3D NAND技术之后，也就是下一代128层3D NAND技术，主要聚焦在RG（(Replacement Gate)）技术的过渡，NAND Flash容量增加和成本降低的速度放缓。