一直以来，我都是认为NAND只是简简单单的存储器

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NAND FLASH这玩意儿，我个人都是看作纯粹的存储器（最多带个什么十分简化的“硬核”）
今天突发奇想，搜搜看看三棒子和YMTC的0E问题，找到个这玩意儿



图里面画圈这一行，“YMTC召回升级trim后再返回给客户”，
我对这句话的理解是：升级NAND内部trim功能的代码，然和再退还给客户


有意思的部分就在这儿了，升级 NAND内部 trim功能 代码；
trim不是特喵的SSD主控干的活儿吗，他这个还有点意思了嘿


然后参考前段时间啃手册，美光B27A B27B除了B27B增加了一个命令，
其他部分不能说一模一样，只能说电压和总线速率变了。


再参考YMTC的Xtacking宣传，我大胆的猜想：
  NAND的存储阵列和IO类似于单片机的用户可用FLASH区和GPIO，然后内部还有一个"核心"（arm ？ 8051 ？），
  然后上图那个什么"升级trim"就是升级NAND FLASH内部的micro code（类似于单片机内部的用户代码）

以上，有感而发，且一点点猜测，看看坛子里面有没有搞这一块的，给大伙儿说道说道

fanallen

对于闪存的内部结构，我想肯定是很复杂的，否则我们不早就实现突破了么

xushu

现在国内的长鑫做得很好呀！

kingjia

原来还可以有程序，学习了

jdmzb

这些知识还是第一次听说

harryport

长时间断电...
说的就是SSD冷备份会丢数据的事
https://zhuanlan.zhihu.com/p/642658166
https://www.chiphell.com/forum.p ... ertype=1&page=3

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harryport 发表于 2025-6-25 10:21
长时间断电...
说的就是SSD冷备份会丢数据的事
https://zhuanlan.zhihu.com/p/642658166

朋友，注意审题，0E那个事儿，三棒子那边传闻是光刻胶问题，长江这边不知道（大概率也是光刻胶问题）。

然后本贴的内容是  
讨论，这个"升级trim"是怎么个升级（优先排除硬件上面操刀，不显示）
或者 NAND FLASH内部是否真的存在可更改其本身代码的可能（大概率是能，参考傻迪解扣成东芝）

wangcanbie

三星s6和长江泰山x2 9060炸0e，那段时间应该跟日本断供光刻胶有关系。

ccbw

大概率是光刻胶问题

zteng2025

闪存里面包括存储电路和逻辑电路，YMTC的Xtacking技术分别生产两个电路再绑定到一起，已经封片的怎么升级逻辑电路不是很明白，是裂开重新压还是再多压一层？

ba21

会不会是理解错误。

baibo

参考闪迪解code 里面应该还有一个存储单元用来保存一些数据吧。