到祸了 买了一个锂电池主动均衡板 NE555+EG2131 装好直接炸了 求助芯片型号

lg1827

NE555+EG2131的方案
太惨了  直接冒烟炸了  简单分析  7/8接地  5/6接电池的 但是芯片被打磨了 不知道型号 哪位大神能指点一下呀 万分感谢

拆机专家123

到祸了 买了一个锂电池主动均衡板 NE555+EG2131 装好直接炸了 求助芯片型号
你搞毛线哦，，，，，哈哈

qrut

这就是仿制的香港大学的那个飞度电容主动均衡电路，原理很简单 这个板子烧的元件也知道是啥，型号也很常见

wang445281

8P的MOS管吧

wang445281

这种双通道的MOS管

wy2000

就是MOS管。有的是P+N ，有的N+N，最好根据电路判断一下

ynyxhx

接错线了？

汪洋中的船

我之前花20多大洋买了一块7S的主动衡板，第一次用没事，过了几个月第二次用没事。过了一年第三次用炸了。。。。

lg1827

wang445281 发表于 2024-12-22 00:41
这种双通道的MOS管

有具体型号么 我只接买几个

lg1827

wang445281 发表于 2024-12-22 00:41
这种双通道的MOS管

请问有具体型号吗

shiyanyu

应该是双NMOS管

cbh1a

这种主动均衡板要从0v开始一串串逐渐接入，中间掉串很容易炸板

dxw1234

不好说，肯定是双mos，大概率是N沟道，但是你买回来可能大小不一样，参数不一样不是道能不能用。优信电子NCE9926看一下。20V6安的管子，4.5v通断时内阻28毫欧，一个0.28元。

dxw1234

另外多讨论一句电容耐压10V，能不能两串跳着均衡，就是一组电压是4.2*2=8.4，也没有超压，这样的话两两均衡，给驱动芯片的电压也高，驱动给MOS的控制电压也高，高电压通断的内阻会降低很多。比如9926MOS，在2.5V时内阻37毫欧，在4.5V时内阻28毫欧，降低了9毫欧，7V时没说，应该可以再低一点。

加旋

搞毛线啊，直接扔掉算了

dxw1234

翻了一遍评论看到了芯片型号是AO4824，  
另外一直有个想法，铁锂电池的自平衡，因为铁锂充电到4.7v后断开电源它会自己回压到3.3V的工作电压区间。你在3.70均衡，后面它自己还是会回到3.30V，你在3.30V均衡它的压差很小0.002V，均衡电流也上不去，几天也均衡不完。
然后我的20段宁德34200电池组，20串，无保护板裸奔状态2年了，基本上每年出现一次续航下降（正常50公里），每次打开观察都是有2-3个螺丝柱触点烧蚀，重新换镍片。上周又开始续航打折，表现为充电40%就满电停充（库仑计），取下来看了一下一个固定螺丝烧蚀，换了之后充电结束后侧两两电压，最小的6.5V，最大的8V（单节已经到4v了），然后我采充满回压，每天充一次，充完搁置让它回压，经过三次，昨晚充电2小时候搁置，今天早上测量两两电压全部都是6.55V（单节3.275，新电池到手我测是3.285-3.290）。我计划本周继续，每天充电让他回压。
铁锂电池的回压一致性应该就是它的自身性能表现，本来急切的想上主动均衡板，现在看来也不急切了，慢慢搞，我装备买个板子用它的控制部分，自己加装扩转电容和mos数量，前面想到的两两均衡有缺陷，第一节漏掉了，不可行。

dxw1234

智翔电子2021年的介绍，可惜当时没有留下电路板的图片。

dxw1234

EG2131J芯片具体参数如下：

电源参数

• 低端电源电压范围（Vcc）：11V - 20V ，推荐典型工作电压在此区间，以保证对N沟道功率MOS管有足够驱动电压 。

• 高端工作电压：可达300V 。

• 静态功耗：小于100μA 。

输入参数

• 输入电压兼容性：可适应5V、3.3V输入电压 。

• 输入逻辑信号要求：逻辑信号输入端高电平阀值为2.5V以上，低电平阀值为1.0V以下 ，输入逻辑信号电流要求较小，MCU输出逻辑信号可直接连接到输入通道 。HIN输入通道内建200K下拉电阻，高电平有效，控制高端HO输出；LIN输入通道内建上拉5V高电位，低电平有效，控制低端LO输出 。

输出参数

• 输出电流能力：高端上桥臂和低端下桥臂输出驱动器最大灌入电流可达1.5A ，最大输出电流可达1A ，即IO+/- 1A/1.5A 。

• 传导延时：低端输出开通传导延时为410nS 、关断传导延时为140nS ；高端输出开通传导延时为400nS 、关断传导延时为150nS 。

• 上升/下降时间：低端输出开通的上升时间为180nS 、关断的下降时间为100nS ；高端输出开通的上升时间为180nS 、关断的下降时间为100nS 。

功能特性参数

• 最高工作频率：最高频率支持500KHz 。

• 保护功能：具备低端VCC欠压关断输出功能 ；内建死区控制电路，防止上下管同时导通；自带闭锁功能，杜绝上下管输出同时导通 。

封装参数

• 封装形式：SOP - 8（SOIC - 8 ）

这个芯片好，NE555提供切换频率，这个芯片提供mos驱动，还有保护功能。就是不知道为什么会炸呢？另外为啥要用那么多电容。

dxw1234

这个MOS的说明书。

danqrs

从理论上说，所有主动均衡，都是没有大意义的。。。不会让放电容量有一丝提升。。。
某种斜教电池只能用在每周都要使用的场合。。。
配主动均衡就是笑话，长期不用的，连续一晚上浮充，搞个什么TL431把超过3.6V的直接300mA放电就是了。。。
什么主动均衡，对总容量和使用便利性，没有丁点作用。。。不均衡唯一的恢复方式就是拆散了把坏的电芯返厂。。。

DIY的均衡版只要电压过高过低阻止充电放电就行了，业余电池组均衡充电最优方案就是，有个每4~6节一个标准的接口，直接一节节单独充电。平时用保护板。。。