铠侠宣布Twin BiCS Flash半圆形3D闪存单元结构设计

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铠侠（Kioxia）宣布，其已开发出一种名叫“Twin BiCS FLASH”的新式半圆形 3D 存储单元结构。与传统循环设计的电荷陷阱单元相比，铠侠首创的这种半圆形 3D 浮栅单元结构，具有更大的编程 / 擦除窗口和斜率，且单元尺寸做到了更小。展望未来，这种设计有望在超越 4-bit（QLC）的存储装置中发挥巨大作用 —— 减少堆栈层数、或提供更高的存储密度。

（题图 via Kitguru）

在本月早些时候于旧金山举办的 IEEE 国际电子设备会议上，铠侠宣布了这项新技术。近年来，随着 3D 堆叠层数的增加，厂商得以通过更低的成本来实现更高的位密度。

然而在层数超过 100 之后，工艺的复杂程度也迅速提升，对产品的良率和一致性提出了更大的挑战。为了克服这些问题，铠侠提出了全新的半圆形单元设计。

其在传统圆形单元的基础上，对栅电极进行了分割，从而减少单元的尺寸，以实现在较少单元层数的情况下，带来高密度的存储。

铠侠称，半圆形浮栅（FG）单元具有出色的编程 / 可擦写特性，有望获得紧密的 QLC Vt 分布和较小的单元尺寸。

作为行业向前发展、追求更高比特密度的一个可行选项，该公司将继续致力于 Twin BiCS FLASH 的研发，并将之投入实际应用。实际应用。

本文来源：CnBeta