谁使用过铁电存储器，比如FM24C**

人艰不拆了

我得到两片铁电eprom，这个东西不是说写入基本没延迟吗？
可是我的写入还是需要延迟，不然读出的数据还是这次写入之前的数据。
这是怎么回事呢？是电路问题，还是软件问题，还是这个片子是假的呢？
i2c接口的:mad:

慕名而来

楼主玩的东西层出不穷、花样繁多，羡慕楼主啥都能玩起来。

人艰不拆了

慕名而来 发表于 2020-3-20 10:07
楼主玩的东西层出不穷、花样繁多，羡慕楼主啥都能玩起来。

哈哈，都是低级玩意，满足好奇心而已:loveliness:

慕名而来

人艰不拆了 发表于 2020-3-20 10:09
哈哈，都是低级玩意，满足好奇心而已

都是真正的“爱好者”呀，以前我是摸到啥玩啥，能动的动起来、能响的响起来、能亮的亮起来，而后就没了兴趣了，玩的东西也挺多但深入的没有、记住的也没有，只是消磨时间了，后来由于年龄的问题离开老花镜、放大镜就没法玩了，改为用到啥玩啥，也只是能用起来就好并不求甚解，仍然是熊瞎子劈苞米的玩法，不比楼主你对这些基础元件做深入研究。

人艰不拆了

慕名而来 发表于 2020-3-20 10:40
都是真正的“爱好者”呀，以前我是摸到啥玩啥，能动的动起来、能响的响起来、能亮的亮起来，而后就没了兴 ...

哈哈，情况差不多，:loveliness:

广东梁百万

对这个铁电存储早有关注，据说擦除次数高和速度快。

2545889167

就按24cxx一样处理 就基本 没问题
不然 就 看芯片手册
手册啥都有说 写的清楚又明了
来论坛上问，撤一天都搞不清楚

读不来手册的话 或者说下型号 ，我看看

la45088d1

就算有延迟那又如何？需要实时读写的数据应该放到RAM里面而不是EEPROM里。
另外，哪怕是RAM写入也不见得就一定是即刻更新的，对于Cortex-M7那种级别的CPU，如果不使能缓存透写，就算写入到RAM里也不见得会很快真正更新到RAM里。
这种特性考研程序员水平，与其抱怨不如好好优化算法吧。

springvirus

用过富士通的MB85RS64的8KB的铁电存储器，SPI的，好用，模拟SPI，一次测试读写成功
资料上宣传的速度挺快

我设置的收取M币是0，附件下载怎么还扣除35M币啊
大家考虑后，再下载，可以搜索此片的资料

人艰不拆了

springvirus 发表于 2020-3-21 15:53
用过富士通的MB85RS64的8KB的铁电存储器，SPI的，好用，模拟SPI，一次测试读写成功
资料上宣传的速度挺快

写入多大延迟呢？

springvirus

人艰不拆了 发表于 2020-3-21 15:59
写入多大延迟呢？

资料上写有
MB85RS64 does not take long time to write data unlike flash memories nor EEPROM, and MB85RS64 takes no wait time.
operating frequency:    20MHz(Max)

la45088d1

springvirus 发表于 2020-3-21 16:03
资料上写有
MB85RS64 does not take long time to write data unlike flash memories nor EEPROM, and MB8 ...

这不是写入延迟，这是SPI接口支持的最大速度。
实际上，这类EEPROM几乎都说可以做到无延迟的读写，片内没有缓存机制，8bit数据一送完就立刻写入了，所以可以马上进行下一次读或者写操作。但是，对于先写入一个数据再立马读出来的场合，没有提及。LZ试过并不行，这是一个问题。所以实际上这类东西还是有延迟的，至少写入一个数据再马上读出来可能做不到0延迟。

la45088d1

所以我没用过EEPROM,我猜一般的EEPROM发送数据写入以后就会出现一个忙的状态，必须等到器件重新空闲下来以后才可以再次发送读写请求。而铁电的0延迟应该是指发送一次写请求后可以立马接着发送下一个请求，但是这种所谓的0延迟并不保证写后读这种操作能够得到正确数据。

人艰不拆了

la45088d1 发表于 2020-3-21 17:41
这不是写入延迟，这是SPI接口支持的最大速度。
实际上，这类EEPROM几乎都说可以做到无延迟的读写，片内没 ...

我的实验不能说明这种芯片不行啊，可能哪里有错误！:mad:

zoro

很早很早以前，申请试用了几片，都忘了怎么回事了:cry:

人艰不拆了

zoro 发表于 2020-3-21 18:16
很早很早以前，申请试用了几片，都忘了怎么回事了

哈哈，不能跟我学这个优点啊:titter:

likun1234567

这东西我之前玩过啊，基本是写进去就能读了基本没有延时啊，看看datasheet怎么写的？我之前是一直写不进去，结果是时序有问题。

VX13510881624

我们公司：深圳市华胄科技有限公司，专业代理富士通铁电存储器可以与CY的P对P替换，大量现货库存，如有需要可以与我联系:VX:13570881624,，电话话：18938076362

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我公司代理富士通铁电存储器，与CY的可以完美替换用

sadate

根据下面的描述，知道为什么读取慢了：

FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题。但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。

无论是2T2C还是1T1C的FRAM，对存储单元进行读操作时，数据位状态可能改变而参考位则不会改变（这是因为读操作施加的电场方向与原参考位中原子的位置相同）。由于读操作可能导致存储单元状态的改变，需要电路自动恢复其内容，所以每个读操作后面还伴随一个"预充"（precharge）过程来对数据位恢复，而参考位则不用恢复。晶体原子状态的切换时间小于1ns，读操作的时间小于70ns，加上"预充"时间60ns，一个完整的读操作时间约为130ns。
写操作和读操作十分类似，只要施加所要方向的电场改变铁电晶体的状态就可以了，而无需进行恢复。但是写操作仍要保留一个"预充"时间，所以总的时间与读操作相同。FRAM的写操作与其它非易失性存储器的写操作相比，速度要快得多，而且功耗小。