三星正研发160层3D闪存 制造工艺或将大幅改善

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稿源：集微网

日前，有消息称，继去年推出的136层第六代V-NAND闪存后，三星目前正在研发160层及以上的3D闪存，将成为第七代V-NAND闪存的基础。

据了解，136层第六代V-NAND闪存是三星今年的量产主力。韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈（single-stack）升级到双堆栈（double-stack），以便制造更高层数的3D闪存。

考虑到三星在NAND闪存行业占据了超过1/3的份额，实力是最强的，不出意外160+层堆栈的闪存应该也会是他们首发，继续保持闪存技术上的优势，拉开与对手的差距。

就在上周，我国的长江存储公司宣布攻克128层3D闪存技术，QLC类型容量做到了1.33Tb容量，创造了三个世界第一。此外，SK Hynix在去年也已宣布正在研发176层堆栈的4D闪存；不过他们家的闪存结构甚至命名都跟其他厂商有所不同，不能单看层数高低。