Leti和英特尔将联合开发chiplet封装

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来源: EEWORLD

Leti日前宣布与英特尔就先进的chiplet 3D和封装技术进行新的合作，以推进高端芯片设计。

这项研究将集中于组装更小的chiplet，优化微处理器不同元件之间的互连技术，以及3D IC的新的键合和堆叠技术，特别是高性能计算机应用。

2019年，英特尔推出了名为Foveros.v的3D堆叠技术

在2020年6月举行的IEEE电子元件与技术会议上，CEA-Leti因其在IRT Nanoelec上进行的项目而获得最佳论文奖，该论文将硅活性中间层作为一种有前途的3D异构集成解决方案。