日本开发用于新一代半导体的新型晶体管结构

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稿源：快科技

目前量产的最先进工艺是台积电、三星的5nm，明年有望量产3nm工艺，再往后的2nm工艺需要全新的技术，制造难度更高，是大国争抢的制高点之一。在先进工艺上，目前台积电、三星及Intel等几家实力强大，日本公司主要是在光刻胶、硅片等材料有较大优势，但日本也没有放弃先进工艺上的努力。

据日本媒体报道，日本产业技术综合研究所与中国台湾半导体研究中心（TSRI）等展开合作，开发了用于新一代半导体的新型晶体管结构。

相比其他技术，该技术将硅（Si）和锗（Ge）等不同沟道材料从上下方堆叠、使“n型”和“p型”场效应晶体管靠近的名为“CFET”的结构。

报道称，与此前的晶体管相比，CFET结构的晶体管性能高、面积小，有助于制造2nm以下线宽的新一代半导体。

据悉，这一研究成果发表于2020年12月在线上举行的半导体相关国际会议“IEDM2020”。该项新技术有望在今后约3年里对民营企业进行转让，正式开始商用。