一个关于pmos的疑问

kkstun · 发表于 2022-6-13 14:45:43

本帖最后由 kkstun 于 2022-6-13 14:47 编辑

我在使用5v单片机输出pwm去控制一个pmos的时候，发现pmos的vgs耐受压小于vds。那么有个问题，pmos控制的vds是24v，如果g级上拉，那不就超压了吗，单片机也受不了。如果不上拉vgs一直有比较大的差值，pmos一直处于打开状态？
场效应管AO3401参数：
型号：AO3401
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（I）：4.2A
脉冲漏极电流（IDM）：30A

brianlee · 发表于 2022-6-13 14:49:47

不要上拉到20v啊，谁叫你这么干的。如果你单片机电平满足了，都不要管了吧

alangxl · 发表于 2022-6-13 14:50:42

这个接地在上面的图看着怪怪的

brianlee · 发表于 2022-6-13 14:51:03

再讲了，pmos不是一般用再高端驱动吗，你怎么也用在低端驱动了

adminismk · 发表于 2022-6-13 14:55:32

参考这图，，可以通过一个三极管来达到驱动的目的，，同时也能避免电压电流倒灌进IO口

kkstun · 发表于 2022-6-13 15:02:27

brianlee 发表于 2022-6-13 14:51
再讲了，pmos不是一般用再高端驱动吗，你怎么也用在低端驱动了

是高端驱动。

kkstun · 发表于 2022-6-13 15:04:04

adminismk 发表于 2022-6-13 14:55
参考这图，，可以通过一个三极管来达到驱动的目的，，同时也能避免电压电流倒灌进IO口
...

这个相当于用一个npn三极管进行了隔离吧。但是后面的pmos的vgs是+-12v，如果要是接12v以上的电源，还要分压处理？

inthsunshine · 发表于 2022-6-13 15:08:37

本帖最后由 inthsunshine 于 2022-6-13 15:14 编辑

电压不同，用2个管子控制更好，相当于电平转换

adminismk · 发表于 2022-6-13 15:13:46

kkstun 发表于 2022-6-13 15:04
这个相当于用一个npn三极管进行了隔离吧。但是后面的pmos的vgs是+-12v，如果要是接12v以上的电源，还要分 ...

不用啊，，pmos的栅极的电压没有超过VGS就可以这样子接的

kkstun · 发表于 2022-6-13 15:16:56

inthsunshine 发表于 2022-6-13 15:08
电压不同，用2个管子控制更好，相当于电平转换

还是n管好用方便。

邓穿石 · 发表于 2022-6-13 15:21:23

kkstun 发表于 2022-6-13 15:04
这个相当于用一个npn三极管进行了隔离吧。但是后面的pmos的vgs是+-12v，如果要是接12v以上的电源，还要分 ...

vgs
的意思是源极为0，栅极电压+-12V
你是不是误以为电路的GND，那是对漏极电压了

kkstun · 发表于 2022-6-13 15:42:02

邓穿石发表于 2022-6-13 15:21
vgs
的意思是源极为0，栅极电压+-12V
你是不是误以为电路的GND，那是对漏极电压了 ...

pmos的vgs s接的正极。除非mcu的供电和pmos源级电压一致，不然pmos没法关断，还要用nmos或者npn转换下。pmos真是麻烦。

msz09861 · 发表于 2022-6-13 15:46:38

也有此问，学习了！

简燕 · 发表于 2022-6-13 16:05:01

本帖最后由简燕于 2022-6-13 16:12 编辑

如果实际应用电路中Vds超过管子允许的Vgs,用背对背串联的两个稳压管,并联在GS两端,把Vgs限制在安全范围内.

大功率的NMOS管的驱动电路里,也会有稳压管限制Vgs.

hewayking · 发表于 2022-6-13 16:31:27

用光耦

yanxue11 · 发表于 2022-6-13 16:41:37

图画的就不对。Pmos，S要直接接电压正极的，中间不能接负载。

对N沟道MOS来说
栅极G是控制端
漏极D是接负载端，再接电源正极。
源极S接地，也就是电源的负极。
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对P沟道MOS来说
栅极G是控制端
漏极D是接负载端，再接电源负极。
源极S接电源正极。