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[电子] 豪威集团发布业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET,专为手机锂电池电路保护设计

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发表于 2022-6-28 10:32:49 | 显示全部楼层 |阅读模式


      IT之家 6 月 28 日消息,MOSFET 是一种在电池包装中的安全保护开关,近日,豪威集团全新推出两款 MOSFET:业内最低内阻双 N 沟道MOSFET WNMD2196A 和 SGT 80V N 沟道 MOSFET WNM6008

      
      据官方介绍,双 N 沟道增强型 MOSFET,WNMD2196A 具有业内同类产品最低内阻,RSS (ON) 低至 1m,专为手机锂电池电路保护设计。WNMD2196A 采用先进的沟槽技术设计,提供卓越的 RSS (ON) 的同时实现低栅极电荷。载流子迁移速度快,阙值电压低,开关速率高,可实现更高的效率和更低的温升
      
      IT之家了解到,WNM6008——80V 高功率 MOSFET,采用最新一代 Shield Gate 技术,针对电信和服务器电源中使用的更高开关频率进行了优化,具备超低 FOM 值(开关应用重要优值系数)。WNM6008 适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。可有效赋能太阳能、电源和电池供电(例如电动代步车)等应用。
      
      
      
            

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发表于 2022-6-28 10:44:01 | 显示全部楼层
这种封装烙铁估计有点呛
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发表于 2022-6-28 11:13:22 | 显示全部楼层
要戴8倍镜才能手工焊接
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发表于 2022-6-28 11:32:03 | 显示全部楼层
对于我这种只有烙铁的,还是算了
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