求助H桥发热

343409517 · 发表于 2022-9-16 13:21:07

本帖最后由 343409517 于 2022-9-16 13:38 编辑

H桥驱动电机，当Q1输入PWM信号，Q4输入电平电机开始旋转，但是莫名其妙Q2发热。
反之当Q3输入PWM信号，Q2输入电平电机开始旋转，但是莫名其妙Q4发热。
另外同时驱动两个电机时电流在2A-5A时nmos上下壁都在发热。

这是pwm输入EG2103波形

这是nmos驱动电机时的波形

bg4rff · 发表于 2022-9-16 14:27:23

你这个H桥有点复杂

zzy_85569381 · 发表于 2022-9-16 14:49:18

下管驱动电压够不够，是不是MOS没完全导通

sadfun · 发表于 2022-9-16 14:55:01

本帖最后由 sadfun 于 2022-9-16 14:58 编辑

MOS管高端驱动，与低端驱动是有区别的。

danqrs · 发表于 2022-9-16 15:34:25

弄个铜线自己拿电流探头勾上去就知道了。。。
有些就根本开始工作状态了，PWM就是上下管交替导通。

jhzfp · 发表于 2022-9-16 16:14:43

本帖最后由 jhzfp 于 2022-9-16 16:34 编辑

pwm频率34.28KHz，有点高，周期约30μS。这个SE6880场管的输入电容是3300pF，G极放电电阻是10K，放电时间常数是33μS，前一个脉冲电平没放完，下一个脉冲又到了，所以不能彻底关断场管引起发热。你可以测一下MOS管G极的波形看看。
你可以用小一点的G极泄放电阻试试。
我没玩过这种电桥，以上分析不知是否正确，仅共参考。

junyuansun · 发表于 2022-9-16 16:44:02

51欧姆的电阻换10欧，10K的电阻换2K。
mos管没有可靠截止。大电流管子的Cgs比较大，驱动频率建议降低一些。

myd23 · 发表于 2022-9-16 17:48:44

死区时间注意一下

简燕 · 发表于 2022-9-16 18:28:46

MOSFET的输入电容3.3nF,工作频率35K.这对驱动模块的输出电流能力要求比较高.感觉至少得2A驱动能力才能勉强应用.另外就是MOSFET的G级阻尼电阻(R5,R7,R10,R12)太大,在功率管G级不发生振荡的情况下,这个电阻越小越好.一般是5欧-10欧之间.
驱动能力不足就会导致上面说的两种情况的管子异常发热.比如第一种情况,Q1执行PWM开关,Q2逻辑上是关断,MOSFET管子的DG之间有寄生电容,如果Q2G级阻尼能力弱(驱动电路的问题),Q2就会跟着Q1的PWM输出的每一个波形,短暂的微导通一下.如果H桥供电是高电压(400V),那么就必须用负压关断功率管,零电压是关不住的 .