中子探测器关键技术“碳化硼薄膜”实现国产化，为业界最大面积

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据科技日报官方公众号消息，近日，中国散裂中子源（CSNS）探测器团队利用自主研制的磁控溅射大面积镀硼专用装置，成功制备出满足中子探测器需求的高性能大面积碳化硼薄膜样品。

                               
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▲ 图源 科技日报官方公众号

IT之家经过查询得知，相关薄膜单片面积达到 1500mm×500mm，薄膜厚度 1 微米，全尺寸范围内厚度均匀性优于 ±1.32%，号称是“目前国际上用于中子探测的最大面积的碳化硼薄膜”。

据悉，研究团队经过多年技术攻关和工艺试制，攻克了溅射靶材制作、过渡层选择、基材表面处理等对镀膜质量影响大的关键技术，设计出了自主研制的磁控溅射大面积镀硼专用装置。

研究人员利用该装置制备了多种规格的碳化硼薄膜，并成功应用于 CSNS 多台中子谱仪上的陶瓷 GEM 中子探测器，从而实现了中子探测器关键技术和器件的国产化，为接下来研制更大面积的高性能新型中子探测器提供了强有力的技术支撑。