三星扩建美国芯片工厂，目标 2030 年超越台积电

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11 月 20 日消息，三星计划扩建其位于美国得克萨斯州泰勒市的半导体芯片工厂。这家韩国公司最近与一家无晶圆厂半导体芯片公司签订了一项提供先进人工智能处理芯片的合同，而这次芯片工厂的扩建可能就是这份合同带来的结果，该公司希望扩大其芯片生产能力。

据 JoongAng Daily 报道，三星将在其泰勒市的半导体芯片工厂增加一栋建筑，建筑面积约为 270 万平方英尺。建设工作已经开始，三星已经聘请了一家当地的工程公司来负责施工审查和检查过程。根据泰勒市网站上的文件，这栋新建筑目前的名称是“三星制造厂 2”。文件中还写道：“市政府与三星签订了一项开发协议，要求市政府指定资源并创建快速流程，以提供与场地开发和建筑施工活动相关的审查、批准和检查服务。”

这栋建筑将位于市区的西南部，是三星在 2022 年以 170 亿美元的初始投资目标开工的泰勒芯片工厂的一部分。然而，由于建设成本的上涨和新建筑的增加，该预算已经上升到 250 亿美元（IT之家备注：当前约 1805 亿元人民币）。虽然公司没有透露新建筑的具体计划，但有人预计它可能是一个存放原材料的地方或芯片生产线的一部分。

去年，三星向美国政府申请了在得克萨斯州的 11 个半导体芯片工厂的税收优惠。该公司承诺在未来 20 年内投资近 2000 亿美元，计划在 2030 年成为最大的半导体芯片公司，并超越台积电，成为世界上最大的合同芯片代工厂。

罗非

三星计划